[实用新型]一种过压保护电路有效

专利信息
申请号: 201520169356.8 申请日: 2015-03-24
公开(公告)号: CN204515579U 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 王剑;吴乐茂;田联房 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: G05F1/571 分类号: G05F1/571
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 罗观祥
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种过压保护电路,其特征在于:包括信号输入端(Vs)、信号处理电路、低压限幅电路、高压限幅电路,其中,所述信号输入端(Vs)接有输入电阻(Ri);所述低压限幅电路包括第一限幅控制电压(Ve)、第一分压电阻(R1)、第二分压电阻(R2)、第一限幅电容(C1)和NPN双极型晶体管(Q1);所述高压限幅电路包括第二限幅控制电压(Vc)、第三分压电阻(R3)、第四分压电阻(R4)、第二限幅电容(C2)和PNP双极型晶体管(Q2);所述NPN双极型晶体管(Q1)的发射极和PNP双极型晶体管(Q2)的发射极均接在信号处理电路的输入端(Vi)上;所述第一分压电阻(R1)串联于第一限幅控制电压(Ve)和NPN双极型晶体管(Q1)的基极之间;所述第二分压电阻(R2)与第一限幅电容(C1)并联,该第二分压电阻(R2)和第一限幅电容(C1)的一端均与NPN双极型晶体管(Q1)的基极相连接;所述第二分压电阻(R2)和第一限幅电容(C1)的另一端及NPN双极型晶体管(Q1)的集电极均连接在参考地(GND)上;所述第三分压电阻(R3)串联于第二限幅控制电压(Vc)和PNP双极型晶体管(Q2)的基极之间;所述第四分压电阻(R4)与第二限幅电容(C2)并联,该第四分压电阻(R4)和第二限幅电容(C2)的一端均与PNP双极型晶体管(Q2)的基极相连接;所述第四分压电阻(R4)和第二限幅电容(C2)的另一端及PNP双极型晶体管(Q2)的集电极均连接在参考地(GND)上。

2.根据权利要求1所述的一种过压保护电路,其特征在于:所述第一限幅控制电压(Ve)和第二限幅控制电压(Vc)均为外部直流电压源,且第一限幅控制电压(Ve)低于参考地(GND)电压,第二限幅控制电压(Vc)高于参考地(GND)电压。

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