[实用新型]剥离装置有效
申请号: | 201520164678.3 | 申请日: | 2015-03-23 |
公开(公告)号: | CN204792711U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 何彦仕;刘沧宇;林佳升;张义民 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 剥离 装置 | ||
1.一种剥离装置,用于剥离包括一基底和一盖层所构成的堆叠结构,其特征在于,包括:
一真空吸嘴头,包括一具有相对的上表面及下表面的吸盘、一贯穿该吸盘的该上表面及该下表面的真空孔及一耦接该真空孔和一真空泵的中空真空管;
一平台,位于该真空吸嘴头下方,且与该吸盘对准,使得该堆叠结构能够固定于该平台上;
一控制机构,耦接至该真空吸嘴头,使得该真空吸嘴头能够相对于该平台被举升或下降;以及
一第一刀具,包括一第一本体及一连接该第一本体的第一刀刃部;
其中,该盖层被该吸盘下表面抵压住并因该真空泵对该中空真空管抽真空而被吸附后,该第一刀刃部经该堆叠结构的一第一侧壁,切入一位于该基底与该盖层间的界面层,并通过该真空吸嘴头的吸力及该真空吸嘴头被向上举升所产生的举升力,使得该基底与该盖层被剥离。
2.根据权利要求1所述的剥离装置,其特征在于,该第一刀具以相对于该堆叠结构运动的方式朝该堆叠结构的该第一侧壁接近,进而使该第一刀刃部经该第一侧壁切入该界面层。
3.根据权利要求2所述的剥离装置,其特征在于,还包括一第二刀具,该第二刀具包括一第二本体及一连接该第二本体的第二刀刃部,其中该第二刀具同样以相对于该堆叠结构运动方式,朝该堆叠结构的一第二侧壁接近,进而使该第二刀刃部经该第二侧壁切入该界面层,其中该第一侧壁及该第二侧壁位于该堆叠结构的相对侧。
4.根据权利要求1所述的剥离装置,其特征在于,该堆叠结构固定于一电路板上。
5.根据权利要求3所述的剥离装置,其特征在于,该真空吸嘴头还包括一环绕于该吸盘下表面边缘的边框,且在该吸盘下表面抵压住该盖层时,该边框能够紧抵该堆叠结构的部分侧壁。
6.根据权利要求5所述的剥离装置,其特征在于,该边框在紧抵该堆叠结构的该第一侧壁及该第二侧壁之处还包括暴露出该界面层侧边的第一缝隙及第二缝隙,使得该第一刀刃部及该第二刀刃部分别先穿过第一缝隙及第二缝隙后再切入该界面层。
7.一种剥离装置,用于剥离由一基底和一盖层所构成的堆叠结构,其特征在于,包括:
一真空吸嘴头,包括一具有相对的上表面及下表面的吸盘、一环绕于该吸盘下表面边缘的边框、一贯穿该吸盘的该上表面及该下表面的真空孔及一耦接至该真空孔和一真空泵的中空真空管;
一平台,位于该真空吸嘴头下方,且与该吸盘对准,使得该堆叠结构能够固定于该平台上;以及
一控制机构,耦接至该真空吸嘴头,使得该真空吸嘴头能够被带动旋转,并相对于该平台被举升或下降;
其中,该盖层被该吸盘的该下表面抵压住且因该真空泵对该中空真空管抽真空而被吸附后,该控制机构使该真空吸嘴头旋转一段时间以产生扭力并同时带动该真空吸嘴头向上举升,使得该盖层在一扭力以及一向上举升力的作用下被剥离。
8.根据权利要求7所述的剥离装置,其特征在于,该真空吸嘴头在300~750度/秒的转速下旋转5秒以内以产生扭力。
9.根据权利要求7或8所述的剥离装置,其特征在于,还包括一密封环,该密封环环绕于该边框内侧。
10.根据权利要求9所述的剥离装置,其特征在于,该堆叠结构固定于一电路板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造