[实用新型]一种光罩护膜清洁装置有效
申请号: | 201520145480.0 | 申请日: | 2015-03-13 |
公开(公告)号: | CN204462637U | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 邢滨;郝静安;张强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光罩护膜 清洁 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光罩护膜清洁装置,特别是涉及一种防止光罩护膜被损坏的光罩护膜清洁装置。
背景技术
随着半导体制造技术的不断发展,光罩的成本费用越来也高,通常光罩的表面设有一层光罩护膜,黏贴光罩护膜为光罩制造的最后阶段,光罩护膜为用来提供阻隔外界污染的隔膜,防止微粒子或挥发性气体污染光罩表面。如图1所示,通常情况下,光罩护膜02由支撑结构支撑于光罩01表面的上方。而在光罩01与光罩护膜02之间的光罩表面存在有光掩模图形。
一般需要对光罩护膜02上裸露的上表面进行清洁,清洁方式为:利用传统的手工持氮气枪03将其表面的颗粒物吹干净,在某些情况下由于操作不当,枪头有可能戳破光罩护膜或因压力太大将光罩护膜吹皱。这样就导致光罩护膜的损坏。
在制造过程中,由于各种原因光罩护膜会被损坏,这时必须将损坏的光罩及光罩护膜拿回光罩厂重新生产,这样不仅造成制造成本的上升,也会使得产品的交期延迟。
因此,有必要提出一种新的防止光罩护膜被损坏的光罩护膜清洁装置来解决上述问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种光罩护膜清洁装置,用于解决现有技术中由于使用气枪对光罩护膜清洁过程中使得光罩护膜损坏而导致制造成本上升以及产品交期延迟的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种光罩护膜清洁装置,所述装置至少包括:用于承载光罩护膜的底座;位于该底座及所述光罩护膜两侧的滑轨;与所述每个滑轨匹配的滑块;连接于所述滑块之间且位于所述光罩护膜正上方的除尘模块及扫描探测模块;所述两个滑轨的同一端分别设有凹槽,所述凹槽中嵌有挡板;所述除尘模块上设有进气口以及若干出气口;所述进气口连接有进气管路;所述扫描探测模块至少包括:线传感器、散射光接收透镜以及激光束;所述底座上设有将所述光罩护膜、滑轨、滑块、除尘模块及扫描探测模块容纳其中的集气罩;所述集气罩与所述底座接触区域设有密封圈;所述集气罩上表面设有排气孔。
作为本实用新型的光罩护膜清洁装置的一种优选方案,所述进气管路上安装有流量调节阀。
作为本实用新型的光罩护膜清洁装置的一种优选方案,所述光罩护膜由位于光罩表面的支撑结构支撑且位于光罩表面的上方。
作为本实用新型的光罩护膜清洁装置的一种优选方案,所述两个滑轨设有凹槽的同一端为光罩的进出端。
作为本实用新型的光罩护膜清洁装置的一种优选方案,所述除尘模块的位置较所述扫描探测模块靠近于所述光罩的进出端。
作为本实用新型的光罩护膜清+洁装置的一种优选方案,所述其中至少一个滑块由电子驱动而滑动于所述滑轨。
作为本实用新型的光罩护膜清洁装置的一种优选方案,所述除尘模块的形状为条形状,且所述进气口位于其上背离光罩护膜的一侧;所述出气口位于其上靠近光罩护膜的一侧。
作为本实用新型的光罩护膜清洁装置的一种优选方案,所述除尘模块上的若干出气口沿其长度方向呈一列排列。
作为本实用新型的光罩护膜清洁装置的一种优选方案,设于所述集气罩上的排气孔有两个;且分别对应地接近于所述凹槽。
作为本实用新型的光罩护膜清洁装置的一种优选方案,所述进气管路中进入的气体包括氮气或去离子气体。
如上所述,本实用新型的光罩护膜清洁装置,具有以下有益效果:本实用新型在光罩护膜上方使用一套密封进气和出气的装置,移动于光罩护膜上表面的除尘模块使得光罩护膜与除尘模块在清洁过程中始终保持一定的距离而不会损坏光罩护膜;同时采用扫描探测模块提高了光罩护膜表面的清洁度;提高了产品的良率以及保证了产品的交期。
附图说明
图1为现有技术中的光罩护膜清洁方式示意图。
图2为本实用新型的光罩护膜清洁装置的结构示意图。
图3为本实用新型的光罩护膜清洁装置将光罩护膜从凹槽口处放入过程的结构示意图。
图4为本实用新型的光罩护膜清洁装置中含有光罩护膜的结构示意图。
图5为本实用新型的除尘模块结构示意图。
图6为本实用新型的扫描探测模块的结构示意图。
图7为本实用新型的光罩护膜清洁装置被集气罩密封的结构示意图。
元件标号说明
01 光罩
02、10 光罩护膜
03 氮气枪
11 底座
12 滑轨
13 滑块
14 除尘模块
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备