[实用新型]掩模板定位装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种掩模板定位装置。

背景技术

在半导体制程过程中，为了将所设计的电路转换成器件，必须要将图案形成在掩模板上，之后通过光刻工艺将之形成在芯片上。对于一些电路图较细微的设计而言，必须要提高掩模板上的分辨率，从而使得图案能够准确无误的转移到芯片上，才能够方便后续制程工艺顺利的进行。

在45nm、28nm、甚至20nm以下的掩模板制造中，随着关键尺寸(CD)越来越小，规格也是越来越紧，对工艺的要求也越来越高，这就要求业内在生产加工时必须从空白掩模板，曝光，显影，蚀刻以及清洗等各个步骤都要严格控制。

但是在实际制造过程中，还是会发现关键尺寸的均匀性，平均值甚至线性等关键尺寸的表现偶尔会超出规格导致报废，尤其是在28nm以下的掩模板制造过程中，这种问题发生的更加频繁，导致良率偏低。

目前，业界的认知是导致上述问题经常发生的主要原因是原物料，工艺参数，以及设计图形这些较为常见的因素，然而在尽可能解决原物料、工艺参数以及设计图形等这些因素的情况下，关键尺寸的表现偶尔超出规格的情况还是会发生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种掩模板定位装置，更好的控制掩模板的良率。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种掩模板定位装置，包括在一腔体中设置的掩模定位板，一掩模板置于所述掩模定位板上，在所述腔体外设置有检测掩模板位置的探测器，所述探测器还连接至一腔体控制器。

可选的，对于所述的掩模板定位装置，所述掩模板为矩形，具有外围区，所述外围区中设置有至少三个透光区。

可选的，对于所述的掩模板定位装置，所述透光区为方形，边长为4mm-6mm。

可选的，对于所述的掩模板定位装置，所述探测器的数量至少为3个。

可选的，对于所述的掩模板定位装置，至少三个透光区分别对应一个探测器，且所述探测器位于所对应的透光区的正上方。

可选的，对于所述的掩模板定位装置，所述至少3个探测器发出的光斑分别投射在所对应的透光区，所述光斑距离透光区四边的最小距离皆为2mm。

可选的，对于所述的掩模板定位装置，所述至少3个探测器发出的光斑分别投射在所对应的透光区，所述光斑距离透光区四边的最小距离皆为1mm。

可选的，对于所述的掩模板定位装置，所述掩模板定位装置还包括显示屏，所述显示屏与所属探测器相连接。

可选的，对于所述的掩模板定位装置，述腔体包括透明玻璃窗口，所述探测器设置于所属透明玻璃窗口上。

本实用新型提供的掩模板定位装置，包括腔体，所述腔体中设置有掩模定位板，一掩模板置于所述掩模定位板上，所述掩模板中设置有透光区，在所述腔体外设置有探测所述透光区来检测掩模板位置的探测器。利用上述掩模板定位装置，通过探测器对掩模板进行探测，通过反馈的信号能够获悉掩模版的位置是否正确，当探测到的掩模板位置异常时，便于技术人员进行排障，从而避免了由于掩模板位置异常所带来的良率问题，也就提升了掩模板的良率。

附图说明

图1为常见的掩模板正确放置时的示意图；

图2为掩模板放置异常时的一种示意图；

图3为本实用新型的掩模板定位装置的示意图；

图4为本实用新型中掩模板的示意图；

图5为本实用新型中对掩模板进行探测时的光斑分布示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的掩模板定位装置进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。