[实用新型]具有热中子屏蔽的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于：包括：

衬底；

第一集成电路裸片，其安置在所述衬底上；以及

热中子屏蔽，其包含经配置以及布置以抑制遇到所述热中子屏蔽的热中子的一部分使其不能穿过所述热中子屏蔽的屏蔽材料，所述屏蔽材料具有硼-10。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述屏蔽材料经配置以及布置以防止遇到所述热中子屏蔽的热中子的至少50％穿过所述热中子屏蔽。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述热中子屏蔽包含盖子，所述盖子包含所述屏蔽材料，所述盖子附接到所述衬底上并且在所述第一集成电路裸片上方延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于：所述屏蔽材料是硼铜合金。

5.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于：其进一步包括：

第二集成电路裸片，其电连接到所述衬底上；并且

其中所述热中子屏蔽在所述第一集成电路裸片以及所述第二集成电路裸片上方延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述热中子屏蔽包含覆盖所述第一集成电路裸片的环氧树脂材料，所述环氧树脂材料包含硼-10。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述热中子屏蔽包含：

盖子，所述盖子附接到所述衬底上并且在所述第一集成电路裸片上方延伸；以及

附接到所述盖子上的所述屏蔽材料的层。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于：所述层中的所述屏蔽材料包含硼硅玻璃颗粒。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述热中子屏蔽包含跨越所述第一集成电路裸片的表面而安置的所述屏蔽材料的层。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于：跨越所述第一集成电路裸片的表面而安置的所述屏蔽材料的所述层通过硼-10离子注入工艺形成。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述热中子屏蔽包含底部填充材料的层，所述底部填充材料包含所述屏蔽材料，所述底部填充材料经配置以及布置以将所述第一集成电路裸片附着到所述衬底上。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其特征在于：所述屏蔽材料包含硼硅玻璃颗粒。

13.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述衬底包含所述屏蔽材料。

14.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述热中子屏蔽包围所述第一集成电路裸片。

15.一种半导体封装，其特征在于：其包括：

一或多个集成电路裸片，其安置在衬底上；以及

热中子屏蔽，所述热中子屏蔽包住所述一或多个集成电路裸片，并且包含足以防止遇到所述热中子屏蔽的热中子的至少50％穿过所述热中子屏蔽的一定数量的硼-10。

16.根据权利要求15所述的半导体封装，其特征在于：所述热中子屏蔽包含橡胶的层，所述橡胶的层包含硼-10并且在所述一或多个集成电路裸片上方延伸。

17.根据权利要求15所述的半导体封装，其特征在于：所述热中子屏蔽包含掺杂有硼-10的所述衬底的一部分。

18.根据权利要求15所述的半导体封装，其特征在于：所述热中子屏蔽包含安置在所述衬底与所述一或多个集成电路裸片之间的底部填充材料，所述底部填充材料包含悬浮在其中的硼硅酸盐颗粒。

19.根据权利要求15所述的半导体封装，其特征在于：所述热中子屏蔽包含掺杂有硼-10的所述一或多个集成电路裸片中的至少一者的层。

20.根据权利要求15所述的半导体封装，其特征在于：其进一步包括含有硼硅酸盐颗粒的糊状物的层，所述糊状物的层沉积在所述一或多个集成电路裸片中的至少一者上。