[实用新型]一种电源电路及电子设备

说明书

技术领域

本实用新型属于电子设备领域，尤其涉及一种电源电路及电子设备。

背景技术

随着技术的发展，现在的电子设备的功能越来越多，功能的增多必然带来耗电量的增加，因此现在的电子设备除了自身配备的电源之外，还需要外部电源进行供电，如车载DVR硬盘盒等等。

因此，这种应用必然需要两种供电方式的切换，现有的供电方式的切换主要包括两种：1.加硬件开关，人工手动控制；2.通过软件检测外电插入，然后控制开关切换供电。方法1的缺点是不能实现自动切换，需要人工操作，不便利；方法2的缺点是需要软件参与控制，控制逻辑复杂，且电路成本高。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种电源电路，旨在解决现在电子设备的供电方式切换存在无法自动切换以及控制逻辑复杂，电路成本高的问题。

本实用新型实施例是这样实现的，一种电源电路，所述电源电路包括：

直流电源插座J1、电阻R1、第一开关管和第二开关管；

所述直流电源插座J1包括正极端、负极端和地端，当所述直流电源插座J1未插入外部电源时，所述负极端和地端连接，当所述直流电源插座J1插入外部电源时，所述负极端和地端断开连接，所述第二开关管的高电位端接内部电源，所述第二开关管的低电位端接所述第一开关管的高电位端，所述第一开关管的低电位端接所述正极端，所述第一开关管的低电位端和正极端还同时接电子设备的电源端，所述第一开关管和第二开关管的控制端同时接负极端，所述电阻R1连接在所述第二开关管的高电位端和控制端之间，所述地端接地。

上述结构中，所述第一开关管采用P型MOS管Q1，所述P型MOS管Q1的栅极为第一开关管的控制端，所述P型MOS管Q1的漏极为第一开关管的高电位端，所述P型MOS管Q1的源极为第一开关管的低电位端。

上述结构中，所述第二开关管采用P型MOS管Q2，所述P型MOS管Q2的栅极为第二开关管的控制端，所述P型MOS管Q2的源极为第二开关管的高电位端，所述P型MOS管Q2的漏极为第二开关管的低电位端。

上述结构中，所述第一开关管采用三极管Q3，所述三极管Q3的基极为第一开关管的控制端，所述三极管Q3的集电极为第一开关管的高电位端，所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。

上述结构中，所述第二开关管采用三极管Q4，所述三极管Q4的基极为第二开关管的控制端，所述三极管Q4的集电极为第二开关管的低电位端，所述三极管Q4的发射极为第二开关管的高电位端。

本实用新型实施例的另一目的在于提供一种电子设备，所述电子设备包括电源电路，所述电源电路包括：

直流电源插座J1、电阻R1、第一开关管和第二开关管；

所述直流电源插座J1包括正极端、负极端和地端，当所述直流电源插座J1未插入外部电源时，所述负极端和地端连接，当所述直流电源插座J1插入外部电源时，所述负极端和地端断开连接，所述第二开关管的高电位端接内部电源，所述第二开关管的低电位端接所述第一开关管的高电位端，所述第一开关管的低电位端接所述正极端，所述第一开关管的低电位端和正极端还同时接所述电子设备的电源端，所述第一开关管和第二开关管的控制端同时接负极端，所述电阻R1连接在所述第二开关管的高电位端和控制端之间，所述地端接地。

上述结构中，所述第一开关管采用P型MOS管Q1，所述P型MOS管Q1的栅极为第一开关管的控制端，所述P型MOS管Q1的漏极为第一开关管的高电位端，所述P型MOS管Q1的源极为第一开关管的低电位端。

上述结构中，所述第二开关管采用P型MOS管Q2，所述P型MOS管Q2的栅极为第二开关管的控制端，所述P型MOS管Q2的源极为第二开关管的高电位端，所述P型MOS管Q2的漏极为第二开关管的低电位端。

上述结构中，所述第一开关管采用三极管Q3，所述三极管Q3的基极为第一开关管的控制端，所述三极管Q3的集电极为第一开关管的高电位端，所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。

上述结构中，所述第二开关管采用三极管Q4，所述三极管Q4的基极为第二开关管的控制端，所述三极管Q4的集电极为第二开关管的低电位端，所述三极管Q4的发射极为第二开关管的高电位端。