[实用新型]一种电源电路及电子设备

权利要求书

1.一种电源电路，其特征在于，所述电源电路包括：

直流电源插座J1、电阻R1、第一开关管和第二开关管；

所述直流电源插座J1包括正极端、负极端和地端，当所述直流电源插座J1未插入外部电源时，所述负极端和地端连接，当所述直流电源插座J1插入外部电源时，所述负极端和地端断开连接，所述第二开关管的高电位端接内部电源，所述第二开关管的低电位端接所述第一开关管的高电位端，所述第一开关管的低电位端接所述正极端，所述第一开关管的低电位端和正极端还同时接电子设备的电源端，所述第一开关管和第二开关管的控制端同时接负极端，所述电阻R1连接在所述第二开关管的高电位端和控制端之间，所述地端接地。

2.如权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述第一开关管采用P型MOS管Q1，所述P型MOS管Q1的栅极为第一开关管的控制端，所述P型MOS管Q1的漏极为第一开关管的高电位端，所述P型MOS管Q1的源极为第一开关管的低电位端。

3.如权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述第二开关管采用P型MOS管Q2，所述P型MOS管Q2的栅极为第二开关管的控制端，所述P型MOS管Q2的源极为第二开关管的高电位端，所述P型MOS管Q2的漏极为第二开关管的低电位端。

4.如权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述第一开关管采用三极管Q3，所述三极管Q3的基极为第一开关管的控制端，所述三极管Q3的集电极为第一开关管的高电位端，所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。

5.如权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述第二开关管采用三极管Q4，所述三极管Q4的基极为第二开关管的控制端，所述三极管Q4的集电极为第二开关管的低电位端，所述三极管Q4的发射极为第二开关管的高电位端。

6.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括电源电路，所述电源电路包括：

直流电源插座J1、电阻R1、第一开关管和第二开关管；

所述直流电源插座J1包括正极端、负极端和地端，当所述直流电源插座J1未插入外部电源时，所述负极端和地端连接，当所述直流电源插座J1插入外部电源时，所述负极端和地端断开连接，所述第二开关管的高电位端接内部电源，所述第二开关管的低电位端接所述第一开关管的高电位端，所述第一开关管的低电位端接所述正极端，所述第一开关管的低电位端和正极端还同时接所述电子设备的电源端，所述第一开关管和第二开关管的控制端同时接负极端，所述电阻R1连接在所述第二开关管的高电位端和控制端之间，所述地端接地。

7.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述第一开关管采用P型MOS管Q1，所述P型MOS管Q1的栅极为第一开关管的控制端，所述P型MOS管Q1的漏极为第一开关管的高电位端，所述P型MOS管Q1的源极为第一开关管的低电位端。

8.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述第二开关管采用P型MOS管Q2，所述P型MOS管Q2的栅极为第二开关管的控制端，所述P型MOS管Q2的源极为第二开关管的高电位端，所述P型MOS管Q2的漏极为第二开关管的低电位端。

9.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述第一开关管采用三极管Q3，所述三极管Q3的基极为第一开关管的控制端，所述三极管Q3的集电极为第一开关管的高电位端，所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。

10.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述第二开关管采用三极管Q4，所述三极管Q4的基极为第二开关管的控制端，所述三极管Q4的集电极为第二开关管的低电位端，所述三极管Q4的发射极为第二开关管的高电位端。