[实用新型]一种高功率半导体激光器系统

权利要求书

1.一种高功率半导体激光器系统，其特征在于：包括自下而上依次设置的下通水块，半导体激光器模块，上通水块；所述半导体激光器模块为多个半导体激光器依次水平排列，且相邻的两个半导体激光器呈V型摆放，上述的相邻的两个半导体激光器发出的两束激光光束的中心光轴存在交点；所述的相邻两个半导体激光器摆放的V型角度θ取值范围为160°<θ<180°。

2.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述的半导体激光器模块中的半导体激光器为半导体激光器垂直叠阵，半导体激光器垂直叠阵由多个半导体激光器单元垂直堆叠而成，所述的半导体激光器单元包括制冷片和激光芯片，制冷片包括制冷片主体，所述的制冷片主体为片状结构，在制冷片主体的一端设有芯片安装区，所述的激光芯片安装在芯片安装区；所述的半导体激光器垂直叠阵为微通道液体制冷型半导体激光器垂直叠阵，或者为宏通道液体制冷型半导体激光器垂直叠阵，所述的下通水块内和上通水块内均设有与半导体激光器垂直叠阵匹配的液体通道。

3.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述的半导体激光器模块中的多个半导体激光器的电连接方式为串联连接。

4.根据权利要求2所述的一种高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述的宏通道液体制冷型半导体激光器垂直叠阵中的半导体激光器单元采用宏通道型液体制冷片，所述的宏通道型液体制冷片为制冷片主体上分布有贯通制冷片上表面和下表面的通液孔，所述的相邻的半导体激光器单元的制冷片的通液孔依次连通，构成所述宏通道液体制冷型半导体激光器垂直叠阵的液体制冷通道；所述宏通道液体制冷型半导体激光器垂直叠阵的液体制冷通道与下通水块的液体通道，以及上通水块的液体通道连通。

5.根据权利要求2所述的一种高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述的微通道液体制冷型半导体激光器垂直叠阵中的半导体激光器单元采用微通道型液体制冷片，所述的微通道型液体制冷片的制冷片主体上设置有入液孔和出液孔，且制冷片内部分布有微小的液体制冷通道，所述制冷片内部微小的液体制冷通道与入液孔，出液孔相互连通；所述的多个半导体激光器单元的入液孔相互连通构成微通道液体制冷型半导体激光器垂直叠阵的入液通道，出液孔相互连通构成微通道液体制冷型半导体激光器垂直叠阵的出液通道，所述的入液通道，出液通道与下通水块的液体通道，以及上通水块的液体通道连通。

6.根据权利要求4所述的一种高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述的宏通道液体制冷型半导体激光器垂直叠阵的制冷片的通液孔直径为0.3毫米—3毫米。

7.根据权利要求5所述的一种高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述的微通道液体制冷型半导体激光器垂直叠阵的制冷片内部微小的液体制冷通道直径为0.1毫米—1毫米。

8.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述的半导体激光器模块的两侧分别各设有一块侧板，用于固定半导体激光器模块；所述的半导体激光器模块的背部安装有绝缘块。