[实用新型]功率IC器件

权利要求书

1.一种功率IC器件，其特征是：包括设置在同一芯片上的表层沟道CMOS晶体管(1)和沟槽型功率IGBT晶体管(2)，所述的沟槽型功率IGBT晶体管(2)的发射极(3)和所述的表层沟道CMOS晶体管(1)的栅极(4)设置在同一水平面。

2.根据权利要求1所述的功率IC器件，其特征是：所述的表层沟道CMOS晶体管(1)包括，

第一反型区(5)，设置在所述表层沟道CMOS晶体管(1)的表面层上的第一沟槽旁且平行于所述表层沟道CMOS晶体管(1)的表面层；

栅极(4)，设置在所述表层沟道CMOS晶体管(1)的表面层上的反转沟区的上层。

3.根据权利要求2所述的功率IC器件，其特征是：所述的沟槽型功率IGBT晶体管(2)包括，

第二沟槽(6)，设置在所述沟槽型功率IGBT晶体管(2)的表面层上；

栅区(7)，设置在第二沟槽(6)内；

第二反型区(8)，设置在第二沟槽(6)的侧壁；

发射极(3)，设置在所述沟槽型功率IGBT晶体管(2)的表面层上，且位于栅区(7)与第二反型区(8)的上方；

集电极(9)，设置在所述沟槽型功率IGBT晶体管(2)的背面。

4.根据权利要求3所述的功率IC器件，其特征是：所述的沟槽型功率IGBT晶体管(2)的发射极(3)和表层沟道CMOS晶体管(1)的栅极(4)由非晶硅、多晶硅或多晶硅-硅化物制成。

5.根据权利要求3所述的功率IC器件，其特征是：所述的沟槽型功率IGBT晶体管(2)是N沟道型晶体管，所述的沟槽型功率IGBT晶体管(2)还包括顶层(10)和位于顶层(10)下的基区(11)，所述的基区(11)设置在发射极(3)上。

6.根据权利要求5所述的功率IC器件，其特征是：所述的顶层(10)由第一N型导电层构成，所述的基区(11)由第二N型导电层构成，所述的第二N型导电层的载流子浓度大于第一N型导电层的载流子浓度。