[实用新型]P-MOSFET驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及驱动电路领域，尤其涉及P-MOSFET驱动电路。

背景技术

电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型。一般绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称为电力MOSFET（Power MOSFET），P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它具有驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高的显著特点。但是，其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子装置。现有的MOSFET驱动电路并未设置保护电路部分。因此，当输入直流电压大于P-MOSFET的Vgs（栅极电压）的最大耐压值（如30V）时，将会导致P-MSOFET的损坏。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供P-MOSFET驱动电路，旨在解决现有P-MSOFET驱动电路未设置保护电路，输入电压过大时容易造成P-MSOFET损坏的问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种P-MOSFET驱动电路，其包括：用于提供给P MOS管提供驱动电压的驱动模块和用于保护P MOS管的驱动保护模块，所述驱动模块与P MOS管的源极和栅极连接，所述驱动保护模块与所述驱动模块连接。

所述的P-MOSFET驱动电路，还包括用于产生PWM控制信号的PWM单元。

所述的P-MOSFET驱动电路中，所述驱动保护模块具体包括至少一二极管。

所述的P-MOSFET驱动电路中，所述驱动保护模块包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极连接驱动模块，第一二极管的负极连接第第二二极管的正极，第二二极管的负极连接驱动模块。

所述的P-MOSFET驱动电路中，所述驱动模块包括：第一三极管，第二三极管，第三三极管，第一电阻，第二电阻，第三电阻和第四电阻，第一三极管的基极通过第三电阻与PWM单元的信号输出端连接、也通过第四电阻接地，第一三极管的集电极连接第二三极管的基极和第三三级管的基极、还通过第一电阻与直流电源输出端和P MOS管的源极连接，第一三级管的发射极和第二三级管的集电极均接地，第二三极管的发射极连接第二二极管的负极，第三三级管的集电极连接直流电源输出端和P MOS管的源极连接，第三三极管的发射极连接第一二极管的正极、还通过第二电阻连接P MOS管的栅极。

所述的P-MOSFET驱动电路中，所述第一三极管和第三三极管为NPN型三极管，第二三极管为PNP型三极管。

有益效果：本实用新型提供的P-MOSFET驱动电路，通过额外设置的驱动保护模块，降低了栅极端的驱动电压，有效在直流输入电压大于MOS管额定电压时保护MOS管，防止其被击穿，降低驱动电路的成本，实现批量生产。

附图说明

图1为本实用新型具体实施例的P-MOSFET驱动电路的结构框图。

图2为本实用新型具体实施例的P-MOSFET驱动电路的电路图。

具体实施方式

本实用新型提供了P-MOSFET驱动电路，为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，为本实用新型提供的P-MOSFET驱动电路的具体实施例，所述驱动电路包括驱动模块100和驱动保护模块200，所述驱动模块与P MOS管10的源极和栅极连接用于给P MOS管10提供驱动电压，所述驱动保护模块与所述驱动模块连接。

所述驱动模块100可以采用现有技术中常用的MOS管驱动电路，所述驱动保护模块200在驱动模块100导通后，分去直流输出端的一部分电压，从而降低驱动模块100导通后加在P MOS管10的栅极。通过该分压功能，上述驱动保护模块200可以在直流输入电压大于MOS管额定电压时实现对MOS管的保护。

具体的，所述P-MOSFET驱动电路还包括用于产生PWM控制信号的PWM单元300来控制驱动模块100的导通状态，最终控制MOS管的导通状态。具体工作原理为：所述PWM为高电平“1”时，驱动模块100导通，使P-MOS管栅和源极产生电压差，使P-MOS管打开。当所述PWM为低电平“0”时，驱动模块100不导通，栅源极电压Vgs为0，P-MOS管关闭。