[实用新型]P-MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 201520003013.4 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN204349946U | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 刘建飞;周大红;李战功;汪兆华;鞠万金 | 申请（专利权）人： | 深圳市京泉华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518110 广东省深圳市龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 驱动 电路 | ||
1.一种P-MOSFET驱动电路，其特征在于，包括：用于提供给P MOS管提供驱动电压的驱动模块和用于保护P MOS管的驱动保护模块，所述驱动模块与P MOS管的源极和栅极连接，所述驱动保护模块与所述驱动模块连接。
2.根据权利要求1所述的P-MOSFET驱动电路，其特征在于，还包括用于产生PWM控制信号的PWM单元。
3.根据权利要求1所述的P-MOSFET驱动电路，其特征在于，所述驱动保护模块具体包括至少一二极管。
4.根据权利要求2所述的P-MOSFET驱动电路，其特征在于，所述驱动保护模块包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极连接驱动模块，第一二极管的负极连接第第二二极管的正极，第二二极管的负极连接驱动模块。
5.根据权利要求3所述的P-MOSFET驱动电路，其特征在于，所述驱动模块包括：第一三极管，第二三极管，第三三极管，第一电阻，第二电阻，第三电阻和第四电阻，第一三极管的基极通过第三电阻与PWM单元的信号输出端连接、也通过第四电阻接地，第一三极管的集电极连接第二三极管的基极和第三三级管的基极、还通过第一电阻与直流电源输出端和P MOS管的源极连接，第一三级管的发射极和第二三级管的集电极均接地，第二三极管的发射极连接第二二极管的负极，第三三级管的集电极连接直流电源输出端和P MOS管的源极连接，第三三极管的发射极连接第一二极管的正极、还通过第二电阻连接P MOS管的栅极。
6.根据权利要求5所述的P-MOSFET驱动电路，其特征在于，所述第一三极管和第三三极管为NPN型三极管，第二三极管为PNP型三极管。
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