[发明专利]一种OLED器件及其制造方法在审
| 申请号: | 201511029123.9 | 申请日: | 2015-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN105633290A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
| 发明(设计)人: | 祝晓钊;朱修剑;王徐亮 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种OLED器件,其包含公用空穴注入层以及不同种类的像素,不同 种类的像素中包含阳极,所述公用空穴注入层分别与各种类像素的阳极相连接, 其特征在于:
所述公用空穴注入层的厚度不超过设定阈值,使得所述公用空穴注入层的 电阻大于设定电阻值。
2.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述公用空穴注入层 的厚度为1~100nm。
3.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述阳极包括:金属 极板、介质层、透明导电层;
所述介质层用于传输由像素发出的光,该介质层设于所述金属极板表面, 由所述透明导电层覆盖所述介质层。
4.如权利要求3所述的OLED器件,其特征在于,不同种类像素的阳极 中的所述介质层厚度分别与不同像素所发出的光的光程相匹配。
5.如权利要求3所述的OLED器件,其特征在于,所述介质层的面积大 于该介质层所在像素中有机发光层的面积。
6.如权利要求3至5中任一所述的OLED器件,其特征在于,所述介质 层的材料包括:紫外光UV固化聚合物。
7.一种OLED器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供不同种类像素的阳极;
在不同种类像素的阳极表面蒸镀形成厚度不超过设定阈值的公用空穴注 入层。
8.如权利要求7所述的OLED器件的制造方法,其特征在于,形成厚度 不超过设定阈值的公用空穴注入层,具体包括:
形成厚度为1~100nm的公用空穴注入层。
9.如权利要求7所述的OLED器件的制造方法,其特征在于,提供不同 种类像素的阳极,具体包括:
针对任一像素提供金属极板;
在该像素的金属极板的其中一表面上设置介质层;
在该像素的介质层上设置透明导电层,形成该像素的阳极。
10.如权利要求9所述的OLED器件的制造方法,其特征在于,在该像素 的金属极板的其中一表面上设置介质层,具体包括:
提供含有紫外光UV固化聚合物的混合溶剂;
将所述混合溶剂闪蒸在该像素的金属极板的其中一表面上形成介质膜;
使用UV光照将介质膜固化形成介质层。
11.如权利要求9所述的OLED器件的制造方法,其特征在于,在该像素 的金属极板的其中一表面上设置介质层,具体包括:
提供透明无机材料;
通过成膜工艺将透明无机材料在像素的金属极板上形成设定厚度的统一 介质层;
针对特定像素,在统一介质层上使用透明无机材料形成像素介质层,使得 在特定像素中统一介质层和像素介质层共同形成介质层。
12.如权利要求11所述的OLED器件的制造方法,其特征在于,所述透 明无机材料包括:氧化硅、氮化硅中的至少一种;
所述成膜工艺包括:热蒸镀、单原子层沉积ALD中的至少一种;
所述特定像素包括像素G和像素R。
13.如权利要求9至11中任一所述的OLED器件的制造方法,其特征在 于,所述介质层的厚度与该像素所发出的光的光程相匹配。
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