[发明专利]具有硅化物的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

位于衬底上的第一鳍和第二鳍，所述第一鳍具有N型杂质，所述第二鳍具有P型杂质；

第一栅电极，其与所述第一鳍交叉并且覆盖所述第一鳍的至少一个侧表面；

第二栅电极，其与所述第二鳍交叉并且覆盖所述第二鳍的至少一个侧表面；

第一源极/漏极区，其位于所述第一鳍上并且邻近于所述第一栅电极的侧表面；

第二源极/漏极区，其位于所述第二鳍上并且邻近于所述第二栅电极的侧表面；

刻蚀停止层，其包括位于所述第一源极/漏极区上的第一刻蚀停止层部分以及位于所述第二源极/漏极区上的第二刻蚀停止层部分；

绝缘层，其位于所述刻蚀停止层上；

第一插件，其穿过所述绝缘层和所述刻蚀停止层而连接至所述第一源极/漏极区；

第一金属硅化物层，其位于所述第一源极/漏极区中并且与所述第一插件对齐；

第二插件，其穿过所述绝缘层和所述刻蚀停止层而连接至所述第二源极/漏极区；以及

第二金属硅化物层，其位于所述第二源极/漏极区中并且与所述第二插件对齐，

所述第二金属硅化物层具有与所述第一金属硅化物层的材料不同的材料以及比所述第一金属硅化物层的厚度更小的厚度，

所述第一源极/漏极区的上端处于比所述第一鳍的上端更高的水平面，并且

所述第二源极/漏极区的上端处于比所述第二鳍的上端更高的水平面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一金属硅化物层包括从NiSi、NiPtSi、CoSi、CoPtSi、TaSi、TaPtSi及其组合中选择的至少一种，并且

所述第二金属硅化物层包括TiSi。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

位于所述第一鳍与所述第一栅电极之间的第一栅电介质层；以及

位于所述第二鳍与所述第二栅电极之间的第二栅电介质层，

所述第一栅电介质层的上端处于比所述第一栅电极的中心更高的水平面，并且

所述第二栅电介质层的上端处于比所述第二栅电极的中心更高的水平面。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一栅电介质层包括：

与所述第一鳍直接接触的下部电介质层；以及

与所述第一栅电极的底部和侧表面直接接触的上部电介质层，所述上部电介质层位于所述下部电介质层与所述第一栅电极之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

围绕所述第一插件和所述第二插件两者的侧表面及底部的第一金属层；以及

位于所述第一金属层与所述第一金属硅化物层之间以及位于所述第一金属层与所述绝缘层之间的第二金属层，

所述第一金属层与所述第二金属硅化物层直接接触。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述第一金属层为TiN层，并且

所述第二金属层为Ti层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一金属硅化物层的上端处于比所述第二金属硅化物层的上端更高的水平面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二金属硅化物层的下表面处于比所述第一金属硅化物层的下表面更高的水平面。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一金属硅化物层的下表面处于比所述第一栅电极的下表面更高的水平面，并且

所述第二金属硅化物层的下表面处于比所述第二栅电极的下表面更高的水平面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一金属硅化物层的上表面处于比所述第一插件的下表面更高的水平面，并且

所述第二金属硅化物层的上表面处于比所述第二插件的下表面更高的水平面。