[发明专利]一种整流器及其制作方法

权利要求书

1.一种整流器的制作方法，其特征在于，包括：

在第一导电类型半导体衬底上依次形成外延层和隔离氧化层；

在所述外延层内形成多个第一导电类型源区，并在每个所述第一导电类型源区内形成一沟槽，所述沟槽贯穿所述第一导电类型源区并延伸至所述外延层内部；

依次形成第一栅氧化层和第一掺杂多晶硅，所述第一栅氧化层覆盖所述沟槽侧壁和底部，所述第一掺杂多晶硅填充所述沟槽；

刻蚀所述第一掺杂多晶硅，且残留所述第一掺杂多晶硅覆盖所述沟槽底部的所述第一栅氧化层；

刻蚀未被所述第一掺杂多晶硅覆盖的所述第一栅氧化层以及隔离氧化层，且残留所述第一栅氧化层覆盖所述沟槽底部以及所述沟槽底部与所述沟槽侧壁的拐角处；

依次形成覆盖所述沟槽侧壁的第二栅氧化层以及填充所述沟槽的第二掺杂多晶硅；依次去除所述沟槽周围区域的所述第二掺杂多晶硅、所述第二栅氧化层，以及所述隔离氧化层；

在所述外延层内的所述沟槽周围形成第二导电类型体区；

在所述第二导电类型体区、所述沟槽上方形成第一电极，在所述第一导电类型半导体衬底远离所述外延层一侧形成第二电极；

其中，所述第二栅氧化层的厚度小于所述第一栅氧化层的厚度，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述外延层包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述沟槽位于所述外延层的第一区域内； 在第一导电类型半导体衬底上形成所述外延层之后，形成所述隔离氧化层之前，还包括：

在所述外延层的第二区域内形成至少一个第二导电类型的终端保护环。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一栅氧化层的厚度为500至1500埃，所述第二栅氧化层的厚度为60至200埃。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述外延层的第二区域内形成至少一个第二导电类型的终端保护环，包括:利用光刻胶作为掩蔽层对所述外延层的第二区域进行硼离子注入形成所述终端保护环。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述外延层内形成多个第一导电类型源区，包括：

在所述外延层上方淀积一层等硅酸乙酯TEOS；

采用沟槽图形光刻板对所述TEOS以及所述隔离氧化层进行刻蚀，并利用所述TEOS作为掩膜进行磷离子注入，形成所述多个第一导电类型源区。

7.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在形成所述隔离氧化层之后还包括：对所述终端保护环进行退火处理。

8.一种整流器，其特征在于，包括：

第一导电类型半导体衬底；

位于所述第一导电类型半导体衬底上方的外延层；所述外延层内设置有多个沟槽，所述沟槽外侧设置有第一导电类型源区以及第二导电类型体区；所述沟槽的底部以及所述沟槽底部与所述沟槽侧壁的拐角处覆盖有第一栅氧化层， 所述沟槽的侧壁覆盖有第二栅氧化层；从所述沟槽的底部向上，所述沟槽内部依次填充有第一掺杂多晶硅和第二掺杂多晶硅；

位于所述第二导电类型体区以及所述沟槽上方的第一电极；

位于所述第一导电类型半导体衬底远离所述外延层一侧的第二电极；

其中，所述第二栅氧化层的厚度小于所述第一栅氧化层的厚度，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反。

9.根据权利要求8所述的整流器，其特征在于，所述外延层包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述沟槽位于所述外延层的第一区域内；所述外延层的第二区域内设置有至少一个第二导电类型的终端保护环。

10.根据权利要求8所述的整流器，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。