[发明专利]电离装置、OLED模组及制备方法和电子设备有效
申请号: | 201511018829.5 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105449117B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 丁立薇;姜海斌;张小宝;朱晖 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电离 装置 oled 模组 制备 方法 电子设备 | ||
1.一种电离装置,其特征在于,包括正电极和负电极;
所述正电极适用于电连接外围驱动系统的输出端;
所述负电极适用于电连接所述外围驱动系统的输入端;
还包括核心活泼层;
所述核心活泼层形成于所述正电极与所述负电极之间;且
所述核心活泼层的材质为导电物质,并添加由亲水性材料构成的电离水催化剂。
2.根据权利要求1所述的电离装置,其特征在于,所述核心活泼层的结构为由亲水性材料构成的亲水结构。
3.根据权利要求1所述的电离装置,其特征在于,所述核心活泼层包括正离子传输绝缘物层、负离子传输绝缘物层和核心网层;
所述核心网层形成于所述正离子传输绝缘物层与所述负离子传输绝缘物层之间;且
所述正离子传输绝缘物层形成于所述负电极与所述核心网层之间;
所述负离子传输绝缘物层形成于所述核心网层与所述正电极之间。
4.根据权利要求3所述的电离装置,其特征在于,所述核心网层的材质为亲水性材料。
5.一种OLED模组,其特征在于,包括:
基板;
OLED器件,所述OLED器件形成于所述基板上;
封装层,所述封装层设置于所述OLED器件的外围,包围所述OLED器件;
权利要求1至4任一项所述的电离装置,所述电离装置加贴在所述封装层表面或设置在所述基板与所述封装层之间。
6.根据权利要求5所述的OLED模组,其特征在于,所述OLED器件包括TFT层、阳极、有机层和阴极;
所述TFT层形成于所述基板表面;
所述阳极形成于所述TFT层与所述有机层之间;
所述有机层形成于所述阳极与所述阴极之间。
7.一种OLED模组制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在基板上制备OLED器件;
在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备权利要求1至5任一项所述的电离装置;
在所述电离装置表面和所述OLED器件外围制备封装层。
8.根据权利要求7所述的OLED模组制备方法,其特征在于,所述制备权利要求1至4任一项所述的电离装置,包括如下步骤:
在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备正电极和负电极,并在所述正电极和所述负电极之间填充制备核心活泼层;或
在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备所述正电极,在所述正电极表面制备核心活泼层,并在所述核心活泼层表面制备所述负电极;或
在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备所述负电极,在所述负电极表面制备核心活泼层,并在所述核心活泼层表面制备所述正电极。
9.根据权利要求8所述的OLED模组制备方法,其特征在于,制备所述核心活泼层,包括如下步骤:
在所述正电极表面制备负离子传输绝缘物层;
在所述负离子传输绝缘物层表面制备核心网层;
在所述核心网层表面与所述负电极之间制备正离子传输绝缘物层。
10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求5或6所述的OLED模组;且所述OLED模组中的电离装置电连接在所述电子设备的驱动电路的输入端和输出端之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司,未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201511018829.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择