[发明专利]单片复合敏感电极的制造方法、基于其的敏感器件有效
| 申请号: | 201511017173.5 | 申请日: | 2015-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN105540526B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
| 发明(设计)人: | 陈德勇;邓涛;王军波;陈健;李光磊;孙振源 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号: | B81B1/00 | 分类号: | B81B1/00;B81C1/00;G01P15/08 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 单片 复合 敏感 电极 制造 方法 基于 器件 | ||
技术领域
本发明涉及加速度计技术领域与MEMS(微电子机械系统)技术领域,尤其涉及一种基于MEMS技术的单片复合敏感电极及其制造方法。
背景技术
电化学加速度计是一种将外界的加速度信号转变为电信号的传感器件,其敏感元件是一个四电极结构,浸在碘与碘化钾的混合溶液中,溶液盛在一个两端由弹性膜密封的管里。四个电极按照阳极-阴极-阴极-阳极的顺序排列,工作时,在阳极与阴极上施加的一个固定的电压发生电极反应,经过一段时间后,反应离子会形成稳定的浓度分布。当器件受到外界加速度作用时,电解液会相对电极产生位移,导致电极上发生的电化学反应速度发生变化,进而影响两个阴极的输出电流(其中一个变大而另一个变小)。最后,两个阴极的输出电流信号经过电流-电压转化以及差分后得到的电压信号正比于输入加速度信号。
与采用固体质量块-弹簧(或者悬臂梁等)拾振结构的加速度计相比,电化学加速度计最大的区别是采用电解液-弹性膜结构为拾振系统,因此,它可以在较大的倾角下工作。此外,基于电化学反应的工作原理使其具有较高的灵敏度。因此,电化学加速度计在地震监测领域具有明显的优势,尤其是在海底地震观测这类不易安装、部署的场合。
传统的电化学加速度计的敏感电极由铂网电极与多孔陶瓷薄片组装而成,但是采用陶瓷烧结工艺,在烧结与冷却的过程中,绝缘层薄片容易破裂,并且薄片由于冷却时收缩不一致导致器件的一致性较差。因此,这种工艺的成本比较高、批量化生产能力差,限制了电化学加速度的广泛使用。为了克服传统工艺方法的缺点,近年来,微机械电子(MEMS)技术被引入用来制作电化学加速度计的敏感电极。MEMS技术是在微电子技术和硅微加工基础上发展起来的多学科交叉的新技术,具有微型化、集成化、可批量生产等特点。近年来出现的MEMS敏感电极,有的由于电极面积较小导致器件灵敏度低;有的需要多达七层硅片进行对齐、键合,工艺难度大、效率低,不适合大批量生产。
发明内容
(一)要解决的技术问题
为了解决上述MEMS敏感电极的问题,本发明提供一种单片复合敏感电极及其制造方法。此外,本发明还提供了一种基于单片复合敏感电极的敏感电极器件和一种电化学加速度计敏感核心。
(二)技术方案
根据本发明的第一方面,提供一种单片复合敏感电极,包括硅片,该硅片具有阳极面和阴极面,所述阳极面设有阳极,所述阴极面设有阴极。
优选地,所述阳极面上设有二氧化硅层或氮化硅层,所述二氧化硅层或氮化硅层上设有铂层作为阳极,所述阳极面开有若干阳极孔。
优选地,所述阴极面上设有铂层,所述阴极面开有若干阴极孔,所述阴极孔的侧壁也覆有铂层,阴极面上的铂层和阴极孔的侧壁上的铂层一起构成阴极;所述阴极孔与所述阳极孔相通,形成电解液流动的通道。
优选地,所述阴极孔的孔径小于所述阳极孔的孔径。
优选地,所述阴极孔的数量多于所述阳极孔的数量,并且一个阳极孔与多个阴极孔相通。
根据本发明的第二方面,提供一种敏感电极器件,包括:单片复合敏感电极,其包括硅片,该硅片具有阳极面和阴极面,所述阳极面设有阳极,所述阴极面设有阴极;两个印刷电路板,一个印刷电路板组装到所述单片复合敏感电极的硅片的阳极面并与所述阳极连接,另一个印刷电路板组装到所述单片复合敏感电极的硅片的阴极面并与所述阴极连接。
优选地,通过金丝球压焊使位于硅片的阳极面印刷电路板的焊盘与所述阳极连接,并通过金丝球压焊使位于硅片的阴极面印刷电路板的焊盘与所述阴极连接。
根据本发明的第三方面,提供一种电化学加速度计敏感核心,包括两个叠在一起的如权利要求6所述的敏感电极器件,其中,两个单片复合敏感电极构成两个阴、阳电极对,排列的方式为阳极-阴极-阴极-阳极;其中,在两个敏感电极器件之间放置一个弹性O形圈,通过机械压紧的方式保证弹性O形圈与两个敏感电极器件之间的密封性。
根据本发明的第四方面,提供一种单片复合敏感电极制造方法,包括以下步骤:步骤S101,在硅片的阳极面覆盖一个二氧化硅层;步骤S102,在二氧化硅层上面旋涂光刻胶;步骤S103,对光刻胶曝光并显影,完成图形化;步骤S104,在阳极面上溅射铂;步骤S105,剥离光刻胶上的铂,其余的铂形成阳极;步骤S106,在阳极的铂表面上制作光刻胶掩膜;步骤S107,去除光刻胶掩膜未覆盖处的二氧化硅;步骤S108,刻蚀硅片,形成阳极表面的阳极孔;步骤S109,从硅片的阴极面刻蚀阴极孔直至与阳极表面的阳极孔相通形成通孔;以及步骤S110,在阴极面上溅射铂,形成阴极。
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