[发明专利]单片复合敏感电极的制造方法、基于其的敏感器件有效
| 申请号: | 201511017173.5 | 申请日: | 2015-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN105540526B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
| 发明(设计)人: | 陈德勇;邓涛;王军波;陈健;李光磊;孙振源 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号: | B81B1/00 | 分类号: | B81B1/00;B81C1/00;G01P15/08 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 单片 复合 敏感 电极 制造 方法 基于 器件 | ||
1.一种电化学加速度计敏感核心,其特征在于,包括两个叠在一起的敏感电极器件,
所述敏感电极器件包括:单片复合敏感电极,其包括硅片,该硅片具有阳极面和阴极面,所述阳极面设有阳极,所述阴极面设有阴极;两个印刷电路板,一个印刷电路板组装到所述单片复合敏感电极的硅片的阳极面并与所述阳极连接,另一个印刷电路板组装到所述单片复合敏感电极的硅片的阴极面并与所述阴极连接;
其中,两个单片复合敏感电极构成两个阴、阳电极对,排列的方式为阳极-阴极-阴极-阳极;其中,在两个敏感电极器件之间放置一个弹性O形圈,通过机械压紧的方式保证弹性O形圈与两个敏感电极器件之间的密封性。
2.根据权利要求1所述的电化学加速度计敏感核心,其特征在于,所述敏感电极器件中,通过金丝球压焊使位于硅片的阳极面印刷电路板的焊盘与所述阳极连接,并通过金丝球压焊使位于硅片的阴极面印刷电路板的焊盘与所述阴极连接。
3.根据权利要求1所述的电化学加速度计敏感核心,其特征在于,所述敏感电极器件的复合敏感电极中,所述阳极面上设有二氧化硅层或氮化硅层,所述二氧化硅层或氮化硅层上设有铂层作为阳极,所述阳极面开有若干阳极孔。
4.根据权利要求3所述的电化学加速度计敏感核心,其特征在于,所述敏感电极器件的复合敏感电极中,所述阴极面上设有铂层,所述阴极面开有若干阴极孔,所述阴极孔的侧壁也覆有铂层,阴极面上的铂层和阴极孔的侧壁上的铂层一起构成阴极;所述阴极孔与所述阳极孔相通,形成电解液流动的通道。
5.根据权利要求4所述的电化学加速度计敏感核心,其特征在于,所述敏感电极器件的复合敏感电极中,所述阴极孔的孔径小于所述阳极孔的孔径。
6.根据权利要求5所述的电化学加速度计敏感核心,其特征在于,所述敏感电极器件的复合敏感电极中,所述阴极孔的数量多于所述阳极孔的数量,并且一个阳极孔与多个阴极孔相通。
7.一种单片复合敏感电极制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S101,在硅片的阳极面覆盖一个二氧化硅层;
步骤S102,在二氧化硅层上面旋涂光刻胶;
步骤S103,对光刻胶曝光并显影,完成图形化;
步骤S104,在阳极面上溅射铂;
步骤S105,剥离光刻胶上的铂,其余的铂形成阳极;
步骤S106,在阳极的铂表面上制作光刻胶掩膜;
步骤S107,去除光刻胶掩膜未覆盖处的二氧化硅;
步骤S108,刻蚀硅片,形成阳极表面的阳极孔;
步骤S109,从硅片的阴极面刻蚀阴极孔直至与阳极表面的阳极孔相通形成通孔;以及
步骤S110,在阴极面上溅射铂,形成阴极。
8.一种单片复合敏感电极制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S201,在硅片的阳极面覆盖一个二氧化硅层;
步骤S202,在二氧化硅层上面旋涂光刻胶;
步骤S203,对光刻胶曝光并显影,完成图形化;
步骤S204,在阳极面上溅射铂;
步骤S205,剥离光刻胶上的铂,其余的铂形成阳极;
步骤S206,在阳极的铂表面上制作光刻胶掩膜;
步骤S207,去除光刻胶掩膜未覆盖处的二氧化硅;
步骤S208,刻蚀硅片,其中,刻蚀硅片时光刻胶掩膜开窗的孔径为阴极孔的孔径;
步骤S209,曝光去除部分光刻胶,其中,去除部分光刻胶时窗口的孔径为阳极孔的孔径;
步骤S210,从阳极面去除暴露出的二氧化硅层;
步骤S211,从阳极面刻蚀硅片,直至将硅片刻穿;
步骤S212,在硅片的阴极面上溅射铂,形成阴极。
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