[发明专利]一种晶片排列电阻真空镀膜方法

权利要求书

1.一种晶片排列电阻真空镀膜方法，其特征在于，其包括以下步骤：

基板准备:取一块基板，该基板上均匀矩阵式分布若干孔洞，其中每三个孔洞竖向排列作为一组；

步骤C2:在基板的背面印刷导体；

步骤C1:在基板的正面印刷导体；

步骤RS:在基板的正面印刷电阻，电阻的位置是在基板正面相邻的两印刷导体之间；

步骤G1:在步骤RS结束后，在基板上印刷电阻层保护层，所述电阻层保护层覆盖在步骤RS所印刷的电阻上；

步骤LT:镭射切割电阻，调整电阻值；

步骤G2:印刷镭射保护层，所述镭射保护层覆盖整个电阻并覆盖镭射切割口；

端银：将基板分割成若干纵条，每根纵条上包括多个电阻单元；将多个纵条在堆叠治具中排列完成，此时相邻纵条上的电阻单元上的相同位置的凹槽并列排放，形成若干凹槽条；在堆叠治具的背面设有磁铁，然后用钢制成的条柱状遮盖条遮盖若干凹槽条，在磁铁的吸力左右下，条柱状遮盖条牢牢吸入若干凹槽条内，从而完全遮盖住每根纵条上的每个电阻单元上的凹槽；然后经过真空镀膜机对每个纵条的长边的侧面镀銀，即将每个纵条上的每个电阻单元的侧面镀银；

折粒:将每根纵条折断，得到若干颗粒状电阻单元；

电镀：将若干颗粒状电阻单元表面先镀镍，然后再镀锌，得到成品晶片排列电阻；

测试包装：将成品晶片排列电阻逐一进行阻值测定，测试合格后进行包装。

2.根据权利要求1所述的晶片排列电阻真空镀膜方法，其特征在于，所述基板是陶瓷基板。

3.根据权利要求1所述的晶片排列电阻真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤C2中印刷导体时印刷厚度是31±10μm。

4.根据权利要求1所述的晶片排列电阻真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤C1中印刷导体时印刷厚度是25±10μm。

5.根据权利要求1所述的晶片排列电阻真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤RS中电阻印刷厚度是20±10μm。

6.根据权利要求1所述的晶片排列电阻真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤G1中电阻层保护层的印刷厚度是20±10μm。

7.根据权利要求1所述的晶片排列电阻真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤G2中印刷镭射保护层的厚度是20±10μm。

8.根据权利要求1所述的晶片排列电阻真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤端银过程中，每个电阻单元两侧镀层的阻抗：≦65Ω。

9.根据权利要求1所述的晶片排列电阻真空镀膜方法，其特征在于，所述电镀过程中，每个电阻单元表面镀镍层的厚度是在5.0-6.0μm之间。

10.根据权利要求1所述的晶片排列电阻真空镀膜方法，其特征在于，所述电镀过程中，每个电阻单元表面镀锌层的厚度是在7.0-8.0μm之间。