[发明专利]印刷型发光显示器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201511003469.1 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN105552103A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 陈亚文 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 印刷 发光 显示器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种印刷型发光显示器,包括TFT阵列基板,所述TFT阵列基板包括从 下往上依次设置的基板、TFT阵列、钝化层和平坦层,所述TFT阵列包括多个 TFT,所述TFT包括源/漏极和栅极,其特征在于,所述平坦层为疏水性平坦层, 所述疏水性平坦层上开设有子像素坑,且所述子像素坑的深度小于所述疏水性 平坦层的厚度;

所述子像素坑区域下方开设有与所述源/漏极相通的通孔;

所述子像素坑中依次设置有像素电极和发光层,所述发光层上设置有顶电 极,其中,所述像素电极通过所述通孔与所述源/漏极相连。

2.如权利要求1所述的印刷型发光显示器,其特征在于,所述子像素坑的 深度为1-3μm。

3.如权利要求1所述的印刷型发光显示器,其特征在于,所述疏水性平坦 层的厚度为2-5μm。

4.如权利要求1-3任一所述的印刷型发光显示器,其特征在于,所述发光 层包括有机发光层或量子点发光层。

5.如权利要求4所述的印刷型发光显示器,其特征在于,所述发光层还包 括电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层中的至少一层。

6.如权利要求1-3任一所述的印刷型发光显示器,其特征在于,所述TFT 为非晶硅TFT、多晶硅TFT或金属氧化物TFT中的一种。

7.如权利要求1-3任一所述的印刷型发光显示器,其特征在于,所述像素 电极为透明电极或金属电极,其中,所述透明电极包括导电金属氧化物。

8.一种印刷型发光显示器的制备方法,包括以下步骤:

提供TFT阵列基板,所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的基板、TFT 阵列、以及沉积在所述TFT阵列上的钝化层和疏水性平坦层,其中,所述TFT 阵列包括多个TFT,所述TFT包括源/漏极和栅极;

在所述疏水性平坦层上沉积光阻;

采用掩膜板对所述光阻进行曝光处理,所述曝光处理包括对用于制作子像 素坑的区域进行半曝光、对所述源/漏极上方用于制作连通所述源/漏极和所述 子像素坑的通孔区域进行全曝光;

对所述光阻的曝光区域进行显影处理,使得所述全曝光区域的光阻完全去 除、所述半曝光区域形成残留光阻层;

对所述显影处理的区域进行干法刻蚀,使得所述疏水性平坦层在半曝光区 域开口形成子像素坑、所述疏水性平坦层和所述钝化层在全曝光区域开口形成 通孔;

在所述子像素坑中沉积像素电极后,去除未经曝光显影处理的所述光阻;

在所述像素电极上制作发光器件。

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