[发明专利]具有使用不同互连层耦合的未对准金属线的互连结构、半导体芯片及布局

说明书

本发明涉及具有使用不同互连层耦合的未对准金属线的互连结构、半导体芯片及布局。在一些实施例中，一种互连结构包含第一金属线、第二金属线及第一连接结构。所述第一金属线形成于第一互连层中，在长度上大体上沿着第一方向延伸且在第一末端部分处结束。所述第二金属线形成于所述第一互连层中，从第二末端部分开始且在长度上大体上沿着所述第一方向延伸。所述第二金属线在所述第一方向上与所述第一金属线未对准。所述第一连接结构将所述第一金属线耦合到所述第二金属线。所述第一连接结构包含形成于不同于所述第一互连层的第二互连层中的第一端到端部分，且与所述第一末端部分和所述第二末端部分重叠。

技术领域

一种互连结构，特别是关于具有使用不同互连层耦合的未对准金属线的互连结构、半导体芯片及布局。

背景技术

半导体芯片包含提供不同功能且进行通信以实现目的的电路块。举例来说，单组静态随机存取存储器(SRAM)芯片包含例如阵列单元的阵列、字线解码电路和输入/输出(IO)电路等电路块。阵列单元的阵列用于在可址寻的位置存储数据。字线解码电路用于根据行地址选择所述阵列单元的阵列中的行以用于存取。IO电路用于根据列地址存取阵列单元的所述选定行中的列。半导体芯片的互连结构包含对应用于阵列单元的阵列、字线解码电路和IO电路等的金属线部分。每一金属线从一个部分延伸到另一部分。例如，沿着阵列单元的阵列的列延行的位线和互补位线延伸到IO电路以使得所述IO电路可存取选定阵列单元。电路块连同互连结构的耦合的相应部分一起用以存储和恢复数据。

发明内容

在一些实施例中，一种互连结构包含第一金属线、第二金属线及第一连接结构。所述第一金属线形成于第一互连层中，在长度上大体上沿着第一方向延伸且在第一末端部分处结束。所述第二金属线形成于所述第一互连层中，从第二末端部分开始且在长度上大体上沿着所述第一方向而延伸。所述第二金属线与所述第一金属线在所述第一方向上未对准。所述第一连接结构将所述第一金属线耦合到所述第二金属线。所述第一连接结构包含形成于不同于所述第一互连层的第二互连层中的第一端对端部分，且与所述第一末端部分和所述第二末端部分重叠。

在一些实施例中，一种半导体芯片包含阵列单元、存取电路和第一连接结构。所述阵列单元包含形成于第一互连层中且大体上沿着第一方向延伸的第一金属线。所述存取电路经配置以存取所述阵列单元，且包含形成于第一互连层中且大体上沿着第一方向延伸的第二金属线。所述第一连接结构使用不同于第一互连层的第二互连层将第一金属线耦合到第二金属线。耦合的第一金属线、第二金属线和第一连接结构充当阵列单元的存取线。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下实施方式最好地理解本发明的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚起见，可任意增加或减小各种特征的尺寸。

图1A是根据一些实施例的具有未对准金属线且使用下方互连层耦合的互连结构的透视图。

图1B是根据一些实施例的具有对准金属线且使用下方互连层耦合的另一互连结构的透视图。

图2A是根据一些实施例的图1A中所示的互连结构的俯视图，其具有两次弯曲且大体上非加宽的端到端部分。

图2B是根据一些实施例的具有两次弯曲且加宽的端到端部分的另一互连结构的俯视图。

图2C是根据一些实施例的具有大体上矩形端到端部分的另一互连结构的俯视图。

图2D是根据一些实施例的具有一次弯曲且大体上加宽的端到端部分的另一互连结构的俯视图。

图3是根据一些实施例的沿着图1A中所示的线A-A'的互连结构的横截面图。

图4A是根据一些实施例的如图2A中所示的具有两次弯曲且大体上非加宽的端到端部分的互连结构的俯视图，所述端到端部分延伸超出邻近于所述端到端部分与其重叠的对应金属线的金属线的末端。