[发明专利]具有使用不同互连层耦合的未对准金属线的互连结构、半导体芯片及布局

权利要求书

1.一种互连结构，其包括：

第一金属线，其形成于第一互连层中，在长度上大体上沿着第一方向延伸且在第一末端部分处结束；

第二金属线，其形成于所述第一互连层中，从第二末端部分开始，在长度上大体上沿着所述第一方向延伸且在所述第一方向上与所述第一金属线未对准，其中所述第一金属线与所述第二金属线在所述第一方向上的垂直投影不重叠；以及

第一连接结构，其将所述第一金属线耦合到所述第二金属线，

其中

所述第一连接结构包括形成于不同于所述第一互连层的第二互连层中的第一端到端部分，且与所述第一末端部分和所述第二末端部分重叠。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中

所述第一端到端部分为单镶嵌通孔。

3.根据权利要求1所述的互连结构，其中

所述第一连接结构进一步包括形成于不同于所述第一互连层和所述第二互连层的层中且耦合到所述第一端到端部分的额外部分。

4.根据权利要求3所述的互连结构，其中

所述额外部分具有矩形形状，其宽度跨越所述第一金属线的宽度和所述第二金属线的宽度。

5.根据权利要求1所述的互连结构，其中

所述第一端到端部分具有包括彼此相对的第一边缘和第二边缘的形状；

所述第一边缘具有第一拐角且所述第二边缘具有第二拐角；

所述第一拐角从大体上沿着所述第一方向弯曲到大体上沿着大体上正交于所述第一方向的第二方向；且

所述第二拐角从大体上沿着所述第一方向弯曲到大体上沿着所述第二方向。

6.根据权利要求5所述的互连结构，其中

所述第一边缘进一步具有第三拐角，且所述第二边缘进一步具有第四拐角；

所述第三拐角从大体上沿着所述第二方向弯曲到大体上沿着所述第一方向；且

所述第四拐角从大体上沿着所述第二方向弯曲到大体上沿着所述第一方向。

7.根据权利要求5所述的互连结构，其中

所述第一边缘和所述第二边缘的部分之间的沿着所述第一方向的宽度大体上不宽于所述第一末端部分和所述第二末端部分中的一者与经所述第一边缘和所述第二边缘的所述部分界定的所述形状的部分重叠的宽度。

8.根据权利要求5所述的互连结构，其进一步包括：

第三金属线，其形成于所述第一互连层中，所述第三金属线在长度上大体上沿着所述第一方向延伸且邻近于所述第一金属线和所述第二金属线中的一者，其中对应所述第一金属线和所述第二金属线中的一者且与经所述第一边缘和所述第二边缘的所述部分界定的所述形状的部分重叠的所述第一末端部分和所述第二末端部分中的一者在所述第一方向上不超出所述第三金属线。

9.根据权利要求1所述的互连结构，其进一步包括：

第三金属线，其形成于所述第一互连层中且邻近于所述第一金属线，且在长度上大体上沿着所述第一方向延伸；

第四金属线，其形成于所述第一互连层中且邻近于所述第二金属线，在长度上大体上沿着所述第一方向延伸且在所述第一方向上对准所述第三金属线；以及

第二连接结构，其使用不同于所述第一互连层和所述第二互连层的第三互连层将所述第三金属线耦合到所述第四金属线。

10.一种半导体芯片，其包括：

阵列单元，其包括：

第一金属线，其形成于第一互连层中且大体上沿着第一方向延伸；

存取电路，其经配置以存取所述阵列单元且包括：

第二金属线，其形成于所述第一互连层中且大体上沿着所述第一方向延伸，其中所述第一金属线与所述第二金属线在所述第一方向上的垂直投影不重叠；以及

第一连接结构，其使用不同于所述第一互连层的第二互连层将所述第一金属线耦合到所述第二金属线，

其中所述耦合的第一金属线、第二金属线与第一连接结构充当所述阵列单元的存取线。