[发明专利]碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的应用

权利要求书

1.一种碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的应用，主要由SiO₂磨料、 氧化剂、活性剂和螯合剂组成的碱性抛光液，其pH值9～13，其特征是：所述碱性抛光液的螯 合剂在低机械压力下对铜膜的高去除速率的应用。

2.根据权利要求1所述的碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的应 用，其特征是:所述碱性抛光液将以下成分按重量％均匀混合制成，

纳米SiO₂磨料5～80％，去离子水10～80％

氧化剂0.5～6％活性剂：0.5～5％

螯合剂3～6％。

3.根据权利要求1或2所述的碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的 应用，其特征是：所述纳米SiO₂磨料的浓度为20～80wt％、粒径为50～120nm。

4.根据权利要求1或2所述的碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的 应用，其特征是：所述螯合剂为FA/OⅡ型螯合剂、FA/OⅣ型螯合剂或甘氨酸中的一种或多种 混合。

5.根据权利要求1或2所述的碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的 应用，其特征是：所述活性剂为FA/OⅠ型非离子表面活性剂、十二烷基酚聚氧乙烯醚或辛基 酚聚氧乙烯醚中的一种或多种混合。

6.根据权利要求1或2所述的碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的 应用，其特征是：所述氧化剂为H₂O₂、KClO₃或KNO₃中的一种。