[发明专利]半导体器件扇出封装结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件扇出封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

制作半导体器件柱状凸点单体及再布线基板，将所述半导体器件 柱状凸点单体倒装于所述再布线基板上，以及回流实施树脂填充；其 中，制作所述再布线基板包括：

在载板表面形成聚合层，在所述聚合层上形成多个第一开口；

在所述聚合层的正面涂上感光膜，对所述感光膜进行曝光显影形 成图案；

采用电镀方法在所述聚合层的表面以及所述第一开口内形成再布 线金属板，所述再布线金属板的厚度根据所述半导体器件柱状凸点单 体中的芯片所需的电流而匹配；

在所述再布线金属板上形成焊料凸点。

2.根据权利要求1所述的半导体器件扇出封装结构的制作方法， 其特征在于，

采用电镀方法在所述聚合层表面以及所述第一开口内形成再布线 金属板时，所述再布线金属板包括在所述第一开口内形成的金属端部 以及在所述聚合层表面形成的金属再布线层，在所述金属再布线层上 形成焊料凸点；

其中，两两所述再布线金属板临近端面的间隔为7um，所述再布 线金属板的厚度为3-15um。

3.根据权利要求2所述的半导体器件扇出封装结构的制作方法， 其特征在于，制作所述半导体器件柱状凸点单体包括：

在所述芯片上形成电极；

在所述芯片和所述电极上选择性的设置钝化层，且露出所述电极 的局部表面；

在所述钝化层表面形成绝缘中空柱状件；

在所述绝缘中空柱状件表面、所述电极的局部表面以及所述芯片 表面形成金属层；

在所述金属层的表面形成光刻胶，在光刻胶上通过光刻形成第二 开口；

在所述绝缘中空柱状件中形成第一金属柱，在所述光刻胶的第二 开口内形成第二金属柱；

去除绝缘中空柱状件外围的光刻胶和金属层；

切割成具有柱状凸点的半导体器件单体。

4.根据权利要求3所述的半导体器件扇出封装结构的制作方法， 其特征在于，

将所述半导体器件柱状凸点单体倒装于所述再布线基板上时，所 述第二金属柱连接所述焊料凸点，所述焊料凸点回流后在所述芯片的 外围及所述芯片与所述再布线基板之间填充树脂，去除所述载板后切 割成半导体器件扇出封装结构的单体。

5.根据权利要求4所述的半导体器件扇出封装结构的制作方法， 其特征在于，去除所述载板后，对露出的金属端部的表面进行微腐蚀 后，在所述金属端部的表面植焊球，然后切割成半导体器件扇出封装 结构的单体。

6.根据权利要求3所述的半导体器件扇出封装结构的制作方法， 其特征在于，

在所述钝化层表面形成绝缘中空柱状件包括：在所述钝化层表面 形成一层聚合物，在所述钝化层上再有选择的形成所述绝缘中空柱状 件；

所述半导体器件柱状凸点单体中所述电极为两个，每个所述电极 上均设有绝缘中空柱状件，两个所述绝缘中空柱状件相互分离。

7.根据权利要求6所述的半导体器件扇出封装结构的制作方法， 其特征在于，

所述绝缘中空柱状件的高度为5-20um；和/或

所述绝缘中空柱状件的内径比所述钝化层在所述电极上的开口小 8-20um；和/或

所述绝缘中空柱状件的外径比所述电极的外径大8-200um。

8.根据权利要求3所述的半导体器件扇出封装结构的制作方法， 其特征在于，

所述金属层包括层叠设置的钛金属层和铜金属层，所述钛金属层 表面设置所述铜金属层；

所述铜金属层的表面层叠设有所述第一金属柱和所述第二金属 柱，所述第一金属柱的表面设置所述第二金属柱。

9.根据权利要求8所述的半导体器件扇出封装结构制作方法，其 特征在于，

所述第一金属柱和所述第二金属柱均为铜柱；

所述第一金属柱的高度为4.5-19.5mm，和/或

所述第二金属柱的高度为35-115um。

10.根据权利要求2-9任一项所述的半导体器件扇出封装结构制 作方法，其特征在于，

所述再布线金属板为再布线铜板，所述金属端部为铜端部，所述 金属再布线层为铜再布线层。