[发明专利]一种自散热大功率整体LED封装

说明书

技术领域

本发明涉及一种自散热大功率整体LED封装。

背景技术

目前，现有LED的制作中，LED芯片的成本占到了综合成本的一半以上；缩小蓝光LED芯片的尺寸，进而降低LED整体制作成本是目前多数厂家普遍采用的途径。LED芯片尺寸缩小后，为保证亮度不变，就需要提高输入给LED芯片的电流密度。这样一来，在这种大功率的电流密度前提下，申请人在做了很多次试验后发现，其会产生两个严重问题，第一、LED存在着电流抑制衰退现象，也就是电流密度越高LED芯片发光效率越低，提高电流密度，能量损失反而会变大。第二个就是散热问题，即热量非常大，对LED造成一定影响，因此，市场应该亟需解决上述两个问题。

发明内容

本发明的目的在于克服以上所述的缺点，提供一种大功率、自散热的整体LED封装。

为实现上述目的，本发明的具体方案如下：一种自散热大功率整体LED封装，包括有金属散热底座，所述金属散热底座上设有多个LED外延片；

所述LED外沿片，包括有金属衬底，所述金属衬底的底面设有进气开孔，所述金属衬底的两个侧面均设有出气开孔，所述两个出气开孔与进气开孔联通；

所述金属衬底顶面还延伸有凸壳，所述凸壳内填充设有压电陶瓷层；所述金属衬底上方设有GaN缓冲层；所述GaN缓冲层上设有P-GaN接触层；所述P-GaN接触层，其一侧设有第一多量子阱发光层，其另一侧设有第二多量子阱发光层；

所述第一多量子阱发光层远离P-GaN接触层的一侧设有第一N-GaN接触层；所述第二多量子阱发光层远离P-GaN接触层的一侧设有第二N-GaN接触层；所述P-GaN接触层的顶面电性连接有P型电极；所述第一N-GaN接触层远离第一多量子阱发光层的一侧电性连接有第一N型电极；所述第二N-GaN接触层远离第二多量子阱发光层的一侧电性连接有第二N型电极；

还包括有用于封装LED外延片的封装部，所述封装部上设有多个出气通道，所述出气通道用于将出气开孔与外界连通；所述金属散热底座设有多个进气通道，所述进气通道用于将进气开孔与外界连通。

其中，所述P-GaN接触层厚度为500-550nm。

其中，所述第一多量子阱发光层的厚度为13nm。

其中，所述第二多量子阱发光层的厚度为13nm。

其中，所述金属散热底座底面设有散热鳍片。

其中，所述金属散热底座内设有用于放置驱动器的放置腔。

本发明的有益效果为：通过设置，首先解决了整体封装的问题，通过散热孔以及散热通道的设置，实现了自散热功能；两个多量子阱发光层垂直设置，接触层两侧分别设有第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层，且两发光层分别设有第一N-GaN接触层和第二N-GaN接触层。也就是在P-GaN接触层的两面建立了发光层，这种并联设置的发光层带来的优点是在不增加芯面积的情况下有源发光层的面积增加了一倍，在相同的驱动电流下，流过发光层的电流密度下降了一半，使芯片内的电流密度均匀化程度提高，可有效降低电流抑制衰退现象，同时LED的正向压降降低，进而大幅度提高发光效果。

附图说明

图1是本发明的LED外延片的结构示意图；

图2是本发明的结构示意图；

图1至图2中的附图标记说明：1-金属衬底；11-进气开孔；12-出气开孔；13-凸壳；2-压电陶瓷层；3-GaN缓冲层；4-P-GaN接触层；51-第一多量子阱发光层；52-第二多量子阱发光层；61-第一N-GaN接触层；62-第二N-GaN接触层；71-第一N型电极；72-第二N型电极；8-P型电极；a1-金属散热底座；a2-LED外延片；a3-封装部；a4-进气通道；a5-出气通道。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的说明，并不是把本发明的实施范围局限于此。

如图1至2所示，本实施例所述的一种自散热大功率整体LED封装，包括有金属散热底座a1，所述金属散热底座a1上设有多个LED外延片a2；