[发明专利]一种自散热大功率整体LED封装

权利要求书

1.一种自散热大功率整体LED封装，其特征在于：包括有金属散热底座（a1），所述金属散热底座（a1）上设有多个LED外延片（a2）。

2.根据权利要求1所述的一种自散热大功率整体LED封装，其特征在于：所述LED外沿片，包括有金属衬底（1），所述金属衬底（1）的底面设有进气开孔（11），所述金属衬底（1）的两个侧面均设有出气开孔（12），所述两个出气开孔（12）与进气开孔（11）联通；

所述金属衬底（1）顶面还延伸有凸壳（13），所述凸壳（13）内填充设有压电陶瓷层（2）；所述金属衬底（1）上方设有GaN缓冲层（3）；所述GaN缓冲层（3）上设有P-GaN接触层（4）；所述P-GaN接触层（4），其一侧设有第一多量子阱发光层（51），其另一侧设有第二多量子阱发光层（52）；

所述第一多量子阱发光层（51）远离P-GaN接触层（4）的一侧设有第一N-GaN接触层（61）；所述第二多量子阱发光层（52）远离P-GaN接触层（4）的一侧设有第二N-GaN接触层（62）；所述P-GaN接触层（4）的顶面电性连接有P型电极；所述第一N-GaN接触层（61）远离第一多量子阱发光层（51）的一侧电性连接有第一N型电极（71）；所述第二N-GaN接触层（62）远离第二多量子阱发光层（52）的一侧电性连接有第二N型电极（72）；

还包括有用于封装LED外延片（a2）的封装部（a3），所述封装部（a3）上设有多个出气通道（a5），所述出气通道（a5）用于将出气开孔（12）与外界连通；所述金属散热底座（a1）设有多个进气通道（a4），所述进气通道（a4）用于将进气开孔（11）与外界连通。

3.根据权利要求2所述的一种自散热大功率整体LED封装，其特征在于：所述P-GaN接触层（4）厚度为500-550nm。

4.根据权利要求2所述的一种自散热大功率整体LED封装，其特征在于：所述第一多量子阱发光层（51）的厚度为13nm。

5.根据权利要求2所述的一种自散热大功率整体LED封装，其特征在于：所述第二多量子阱发光层（52）的厚度为13nm。

6.根据权利要求2所述的一种自散热大功率整体LED封装，其特征在于：所述金属散热底座（a1）底面设有散热鳍片。

7.根据权利要求2所述的一种自散热大功率整体LED封装，其特征在于：所述金属散热底座（a1）内设有用于放置驱动器的放置腔。