[发明专利]一种有机电致发光显示装置有效
| 申请号: | 201510991980.0 | 申请日: | 2015-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN106920811B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
| 发明(设计)人: | 高松;刘嵩 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示装置 | ||
本发明涉及一种有机电致发光显示装置,包括叠加设置的顶发光OLED器件和透明OLED器件,所述透明OLED器件设置在顶发光OLED器件的出光方向,所述顶发光OLED器件和所述透明OLED器件中的一个为蓝光发光器件,另一个为绿光发光器件,所述顶发光OLED器件和透明OLED器件之间设有红光光转换层,所述红光光转换层将部分顶发光OLED器件发出的光线转换为红光,从而实现有机电致发光显示装置的RGB三色光显示。本发明通过采用不同颜色的发光OLED器件叠加构成的RGB三色光显示,制备过程中无需精密掩膜板FMM可以制备出具有高分辨像素的器件。
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示装置技术领域,特别是一种不同颜色的发光OLED器件叠加构成的RGB三色光显示的有机电致发光显示装置。
背景技术
有机电致发光显示装置OLED通常包括多个像素,每个像素由若干发光区组成。目前在中小尺寸中广泛应用方案之一是由红、绿、蓝三种像素组成一个像素。为获得较高的像素分辨率,红、绿、蓝三种发光区层在制备过程中需要分别采用高精密掩膜蒸镀,即需要三组精密金属掩膜。但精密金属掩膜的最高精度由于工艺水平受到限制,导致有机电致发光显示装置的分辨率难以提高;另一方面,由于高精密掩膜板精度高,每个发光区均需要对位调整,每次调整都会造成显示装置制造成品率的下降,因此提高了器件成本且限制了更高分辨率的实现。
提高分辨率的手段之一是降低精密掩膜板的使用次数,图1所示的OLED器件包括基板51、阳极层52、空穴注入层53、空穴传输层54、发光层、电子传输层55和阴极层56,其中发光层包括红、绿、蓝三种发光区,其中红光发光区和绿光发光区并排设置在空穴传输层上,蓝光发光区的一部分设置在空穴传输层上,另一部分覆盖所述红光发光区和绿光发光区。在制备时用两组精密掩膜分别实现红光发光区和绿光发光区,而后利用普通掩膜板open mask蒸镀蓝光发光区。尽管该方案减少了一组精密掩膜板,但是仍然需要使用两组单个亚像素的精密掩膜板,且需要精确对位,降低了显示装置的分辨率。
另一种解决方案是采用白光发光器件和滤光层CF结合方式,可以避免使用精密掩膜,但是功耗大大增加。
发明内容
为此,本发明所针对现有技术中OLED发光层的制备过程中需要多组高精度掩膜板,且工艺路线复杂的问题,进而提供一种有机电致发光显示装置,其通过采用不同颜色的发光OLED器件叠加构成的RGB三色光显示,制备过程中无需精密掩膜板FMM可以制备出具有高分辨像素的器件。
本发明还提供一种上述有机电致发光显示装置的制备方法。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种有机电致发光显示装置,包括叠加设置的顶发光OLED器件和透明OLED器件,所述透明OLED器件设置在所述顶发光OLED器件的出光方向,所述顶发光OLED器件和所述透明OLED器件中的一个为蓝光发光器件,另一个为绿光发光器件,所述顶发光OLED器件和透明OLED器件之间设有红光光转换层,所述红光光转换层将部分顶发光OLED器件发出的光线转换为红光,从而实现有机电致发光显示装置的RGB三色光显示。
所述红光光转换层包括量子点薄膜层和红光滤光层,所述量子点薄膜层与顶发光OLED器件贴合设置,所述红光滤光层设置在所述量子点薄膜层和透明OLED器件之间。
量子点薄膜层为CdTe量子点薄膜层或CdSe量子点薄膜层。
所述红光光转换层的发光面积为顶发光OLED器件发光面积的1/4~3/4。
所述量子点薄膜层的厚度为5nm-500nm,红光滤光层的厚度为0.1μm-10μm。
所述顶发光OLED器件为绿光OLED器件,所述透明OLED器件为蓝光OLED器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





