[发明专利]一种有机电致发光显示装置有效
| 申请号: | 201510991980.0 | 申请日: | 2015-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN106920811B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
| 发明(设计)人: | 高松;刘嵩 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示装置 | ||
1.一种有机电致发光显示装置,包括叠加设置的顶发光OLED器件和透明OLED器件,所述透明OLED器件设置在所述顶发光OLED器件的出光方向,其特征在于,
所述顶发光OLED器件和透明OLED器件之间设有红光光转换层,所述红光光转换层将部分顶发光OLED器件发出的光线转换为红光,从而实现有机电致发光显示装置的RGB三色光显示;
所述顶发光OLED器件为绿光OLED器件,所述透明OLED器件为蓝光OLED器件;
有机电致发光显示装置包括红光发光区域、绿光发光区域和蓝光发光区域,所述蓝光OLED器件、绿光OLED器件和红光光转换层叠加的区域构成红光发光区,所述绿光OLED器件和蓝光OLED器件叠加且无红光光转换层的区域构成绿光发光区域,蓝光发光区至少部分覆盖红光发光区和/或绿光发光区。
2.根据权利要求1所述有机电致发光显示装置,其特征在于,所述红光光转换层包括量子点薄膜层和红光滤光层,所述量子点薄膜层与顶发光OLED器件贴合设置,所述红光滤光层设置在所述量子点薄膜层和透明OLED器件之间。
3.根据权利要求2所述有机电致发光显示装置,其特征在于,量子点薄膜层为CdTe量子点薄膜层或CdSe量子点薄膜层。
4.根据权利要求3所述有机电致发光显示装置,其特征在于,所述红光光转换层的发光面积为顶发光OLED器件发光面积的1/4~3/4。
5.根据权利要求4所述有机电致发光显示装置,其特征在于,所述量子点薄膜层的厚度为5nm-500nm,红光滤光层的厚度为0.1μm-10μm。
6.根据权利要求1-5任一项所述有机电致发光显示装置,其特征在于,所述顶发光OLED器件包括第一基板和第一封装层,所述第一基板和第一封装层形成密闭空间内设置有第一发光单元;透明OLED器件包括第二基板和第二封装层,所述第二基板和第二封装层形成密闭空间内设置有第二发光单元;所述第一封装层和第二封装层贴合设置。
7.一种有机电致发光显示装置,包括叠加设置的顶发光OLED器件和透明OLED器件,所述透明OLED器件设置在所述顶发光OLED器件的出光方向,其特征在于,
所述顶发光OLED器件和透明OLED器件之间设有红光光转换层,所述红光光转换层将部分顶发光OLED器件发出的光线转换为红光,从而实现有机电致发光显示装置的RGB三色光显示;
所述顶发光OLED器件为蓝光OLED器件,所述透明OLED器件为绿光OLED器件;
有机电致发光显示装置包括红光发光区域、绿光发光区域和蓝光发光区域,所述蓝光OLED器件、绿光OLED器件和红光光转换层叠加的区域构成红光发光区,所述蓝光OLED器件和绿光OLED器件叠加且无红光光转换层的区域构成蓝光发光区域,绿光发光区至少部分覆盖红光发光区和/或蓝光发光区。
8.根据权利要求7所述有机电致发光显示装置,其特征在于,所述红光光转换层包括量子点薄膜层和红光滤光层,所述量子点薄膜层与顶发光OLED器件贴合设置,所述红光滤光层设置在所述量子点薄膜层和透明OLED器件之间。
9.根据权利要求8所述有机电致发光显示装置,其特征在于,量子点薄膜层为CdTe量子点薄膜层或CdSe量子点薄膜层。
10.根据权利要求9所述有机电致发光显示装置,其特征在于,所述红光光转换层的发光面积为顶发光OLED器件发光面积的1/4~3/4。
11.根据权利要求10所述有机电致发光显示装置,其特征在于,所述量子点薄膜层的厚度为5nm-500nm,红光滤光层的厚度为0.1μm-10μm。
12.根据权利要求7-11任一项所述有机电致发光显示装置,其特征在于,所述顶发光OLED器件包括第一基板和第一封装层,所述第一基板和第一封装层形成密闭空间内设置有第一发光单元;透明OLED器件包括第二基板和第二封装层,所述第二基板和第二封装层形成密闭空间内设置有第二发光单元;所述第一封装层和第二封装层贴合设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





