[发明专利]一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄片晶片蚀刻方法，尤其涉及一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊 胶的蚀刻方法。

背景技术

Lam4520机台本身是针对正常厚度675um的晶片(wafer)设计的一种介 质蚀刻机台，在做蚀刻工艺过程中，夹具(clamp)将晶片(wafer)固定在机 台的卡盘(chuck)上，晶片(wafer)在蚀刻过程中将被等离子体加热，通过在 晶片(wafer)背面设定12T压力的氦气气流(Heflow)达到冷却的效果。

但对于MEMS薄片工艺(300or400umwafer)，由于蚀刻的膜厚度比较厚 (um级别)，工艺时间比较长，而片子本身太薄，夹具(clamp)将无法完全将 晶片(wafer)固定在卡盘(chuck)上，片子按正常的设定12T压力的氦气气 流(Heflow)，晶片(wafer)会被背氦吹得悬浮起来，导致氦气气流(Heflow) 太大，机台报警无法作业，这时可以降低背面氦气气流(Heflow)的设定来 使机台不报警，但带来另一个问题就是背面氦气气流(Heflow)太高导致晶片 (wafer)在加工过程中冷却效果不好导致光阻因高温而糊胶的现象发生。

要彻底解决这个问题，最佳方案就是对机台进行ESC(静电吸盘)改造， 但改造费用比较高，预计超过15万人民币以上。

现有技术解决LAM4520机台跑薄片工艺糊胶问题的解决方法如下:

1.对机台进行改造，用ESC(静电吸盘)来解决晶片(wafer)与卡盘(chuck) 不能很好固定的问题，缺点是需要增加成本。

2.对夹具(clamp)进行改造，增加夹具(clamp)的厚度使薄片晶片(wafer) 能固定在卡盘(chuck)上，缺点是需要增加成本，而且跑正常厚度的片子会有 破片的风险，存在薄片和厚片不能同时作业的问题。

有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种防止蚀 刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法，使其更具有产业上的利用价值。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种防止蚀刻机台做薄片工艺 糊胶的蚀刻方法，该方法操作简单，成本低，能同时兼容厚片和薄片加工，防 止薄片工艺出现糊胶。

本发明提出一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法，其特征在于： 包括以下步骤：

(1)将需要蚀刻加工的薄片晶片(wafer)通过夹具(clamp)装夹到蚀刻 机台的卡盘(chuck)上；

(2)将薄片晶片(wafer)蚀刻加工所需要的总时间拆分成若干次相同短 时间的蚀刻加工；

(3)第一次短时间的蚀刻加工过程中，在薄片晶片(wafer)背面通氦气 (He)气流进行冷却，设定好氦气(He)气流的压力，防止当机，保证冷却效 果；

(4)完成第一次蚀刻后加一个通氦气的步骤，机台腔体内维持一定的压力， 利用氦气良好的导热性冷却wafer表面

(5)完成第一次短时间的蚀刻加工后，查看薄片晶片(wafer)的光刻胶 (PR)在第一次短时间的蚀刻加工后是否出现糊胶；

(6)若没有出现糊胶，则以第一次短时间的蚀刻加工和冷却步骤作为一个 加工周期，进行后续的加工，直到完成最后一次短时间的蚀刻加工和冷却；

(7)若出现糊胶，则增加蚀刻加工所需总时间拆分次数，从而缩短第一次 蚀刻加工的时间，然后重复步骤(3)和步骤(4)，直到不再出现糊胶后，再按 照该不糊胶的蚀刻加工和冷却作为一个加工周期，进行后续的加工，直到完成 最后一次蚀刻加工和冷却。

作为本发明方法的进一步改进，步骤(1)中所述的蚀刻机台为Lam4520介 质蚀刻机台

作为本发明方法的进一步改进，步骤(2)中所述蚀刻加工所需要的总时间 拆分成相同短时间的蚀刻加工的次数根据工艺需求进行设定。

作为本发明方法的进一步改进，步骤(3)中所述氦气(He)气流的压力设 定为6～12T。

作为本发明方法的进一步改进，步骤(3)中所述通氦气(He)气流进行冷 却的时间为15～60秒。

借由上述方案，本发明至少具有以下优点：本发明提供的一种防止蚀刻机 台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法，在不改造机台，不增加成本的基础上，能够防 止薄片工艺出现糊胶，同时兼容厚片和薄片加工，操作简单，使用方便。