[发明专利]一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法在审
| 申请号： | 201510988986.2 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105609417A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 姚海平;韩冬;李全宝 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 蚀刻 机台 薄片 工艺 方法 | ||
1.一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将需要蚀刻加工的薄片晶片(wafer)通过夹具(clamp)装夹到蚀刻机台的卡盘(chuck)上；
(2)将薄片晶片(wafer)蚀刻加工所需要的总时间拆分成若干次相同短时间的蚀刻加工；
(3)第一次短时间的蚀刻加工过程中，在薄片晶片(wafer)背面通氦气(He)气流进行冷却，设定好氦气(He)气流的压力，防止当机，保证冷却效果；
(4)完成第一次蚀刻后加一个通氦气的步骤，机台腔体内维持一定的压力，利用氦气良好的导热性冷却wafer表面；
(5)完成第一次短时间的蚀刻加工后，查看薄片晶片(wafer)的光刻胶(PR)在第一次短时间的蚀刻加工后是否出现糊胶；
(6)若没有出现糊胶，则以第一次短时间的蚀刻加工和冷却步骤作为一个加工周期，进行后续的加工，直到完成最后一次短时间的蚀刻加工和冷却；
(7)若出现糊胶，则增加蚀刻加工所需总时间拆分次数，从而缩短第一次蚀刻加工的时间，然后重复步骤(3)和步骤(4)，直到不再出现糊胶后，再按照该不糊胶的蚀刻加工和冷却作为一个加工周期，进行后续的加工，直到完成最后一次蚀刻加工和冷却。
2.根据权利要求1所述的一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法，其特征在于：步骤(1)中所述的蚀刻机台为Lam4520介质蚀刻机台。
3.根据权利要求1所述的一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法，其特征在于：步骤(2)中所述蚀刻加工所需要的总时间拆分成相同短时间的蚀刻加工的次数根据工艺需求进行设定。
4.根据权利要求1所述的一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法，其特征在于：步骤(3)中所述氦气(He)气流的压力设定为6～12T。
5.根据权利要求1所述的一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法，其特征在于：步骤(4)中所述通氦气(He)气流进行冷却的时间为15～60秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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