[发明专利]一种硅控整流器在审
| 申请号： | 201510984780.2 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105448908A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王源;张立忠;何燕冬;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 整流器 | ||
1.一种硅控整流器，其特征在于，包括：P型衬底，所述P型衬底上从左到右依次设有第一N阱区、第二N阱区、第三N阱区、第四N阱区以及第五N阱区；
所述第一N阱区、所述第二N阱区、所述第三N阱区、所述第四N阱区以及所述第五N阱区依次连接；
其中，
在五个N阱区中有两个相邻的N阱区之间的导电区的长度可调。
2.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述长度可调的导电区为任意两个相邻N阱区之间的导电区。
3.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述第一N阱区的左右分别设有第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；
所述第二N阱区的左右分别设有第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；
所述第三N阱区的左右分别设有第三P+掺杂区和第三N+掺杂区；
所述第四N阱区的左右分别设有第四P+掺杂区和第四N+掺杂区；
所述第五N阱区的左右分别设有第五P+掺杂区和第五N+掺杂区；
其中，所述第一P+掺杂区设有漏电极，所述第五N+掺杂区设有第一源电极，所述第一源电极接地，所述漏电极为静电输入端VESD。
4.根据权利要求3所述的硅控整流器，其特征在于，还包括：第六P+掺杂区和第六N+掺杂区；
所述第六P+掺杂区和所述第六N+掺杂区分别设有第二源电极和第三源电极；
其中，所述第二源电极和所述第三源电极均接地。
5.根据权利要求3所述的硅控整流器，其特征在于，所述N+掺杂区用于注入N+掺杂。
6.根据权利要求3所述的硅控整流器，其特征在于，所述P+掺杂区用于注入P+掺杂。
7.根据权利要求4所述的硅控整流器，其特征在于，还包括：位于所述P型衬底表面的导电区；
所述导电区包括第一导电区、第二导电区、第三导电区和第四导电区；
所述第一导电区分别与所述第一N+掺杂区与所述第二P+掺杂区连接；
所述第二导电区分别与所述第二N+掺杂区与所述第三P+掺杂区连接；
所述第三导电区分别与所述第三N+掺杂区与所述第四P+掺杂区连接；
所述第四导电区分别与所述第四N+掺杂区与所述第五P+掺杂区连接。
8.根据权利要求7所述的硅控整流器，其特征在于，所述导电区为金属导电区。
9.根据权利要求6所述的硅控整流器，其特征在于，所述金属导电区的导电材料为铜。
10.根据权利要求1～9任一项所述的硅控整流器，其特征在于，所述N阱区用于注入N型掺杂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
