[发明专利]一种对InSb进行割圆倒角的装置有效

申请号：	201510977772.5	申请日：	2015-12-23
公开（公告）号：	CN105575856B	公开（公告）日：	2018-11-20
发明（设计）人：	赵超;陈元瑞;程鹏	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/02
代理公司：	工业和信息化部电子专利中心 11010	代理人：	田卫平
地址：	100015***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种 insb 进行倒角装置
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【说明书】：

本发明公开了一种对InSb进行割圆倒角的装置，本发明主要用于非规则形状的InSb晶圆的制备工艺中，解决InSb单晶晶锭利用率低的问题。通过采用新型的割圆倒角工艺，可以使InSb单晶晶锭在切割成晶片以后再进行割圆，并在同一台设备上通过一次操作同时完成割圆和倒角工艺。因而极大的提高了材料的利用率，并提高了晶圆的加工效率。

技术领域

本发明涉及材料技术领域，尤其涉及一种对InSb进行割圆倒角的装置。

背景技术

InSb材料是一种三五族化合物半导体材料，在3-5μm中波红外波段拥有极高的量子效率和响应率，广泛应用于中波红外探测器领域。目前，InSb材料主要是通过切克劳斯基法制备出单晶晶锭，再通过切片、倒角、研磨、抛光等工序制备成各种尺寸和规格的晶圆。而这些都会造成非常严重的材料浪费，因此并不适用于InSb晶圆的加工。

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种对InSb进行割圆倒角的装置，用以解决现有技术中对InSb进行割圆倒角浪费材料的问题。

本发明主要是通过以下技术方案实现的：

本发明提供了一种对InSb进行割圆倒角的装置，该装置包括：

图像识别单元，用于采集平台上的InSb的晶片图形；

处理单元，用于根据所述晶片图形以及预设的晶片形状，计算晶片的中心位置、晶片直径以及晶片割圆倒角的尺寸；

切割单元，用于对所述晶片进行处理，得到所述预设的晶片形状。

优选地，所述图像识别单元为摄像头。

优选地，所述切割单元进一步包括：倒角砂轮和伺服电机；

所述伺服电机，用于给所述倒角砂轮提供动力；

所述倒角砂轮，用于在所述伺服电机的推动下，根据所述处理单元得到的晶片割圆倒角的尺寸对晶片进行割圆和倒角。

优选地，所述倒角砂轮的外圆周面上依次包括割圆研磨面和倒角研磨面，且所述割圆研磨面和所述倒角研磨面均包括多个。