[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成伪栅极结构；

步骤S2：对所述伪栅极结构的一侧壁和与所述侧壁位于同侧的半导体衬底的表面进行倾斜离子注入，以形成离子注入层；

步骤S3：去除所述离子注入层，以使所述伪栅极结构两侧的半导体衬底的表面具有不同的高度；

步骤S4：在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底中分别形成源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极具有不同的高度。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2之前，还包括：在所述伪栅极结构的表面上形成图案化的掩膜层的步骤。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

步骤S31：在所述半导体衬底上依次形成伪栅极介电层和多晶硅伪栅极材料层；

步骤S32：在所述多晶硅伪栅极材料层上形成所述图案化的掩膜层；

步骤S33：以所述图案化的掩膜层为掩膜依次刻蚀所述多晶硅伪栅极材料层和伪栅极介电层，以形成所述伪栅极结构。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2和所述步骤S3之间还包括进行热退火处理的步骤。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S4包括以下步骤：

步骤S41：进行LDD注入，以在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底中形成轻掺杂源极和漏极；

步骤S42：进行源/漏极注入，以在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底中形成源极和漏极。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S4之后，还包括在所述源极和漏极对应的区域形成应力层的步骤。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述应力层的材料为SiGe或者SiC。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S3和步骤S4之间，还包括在所述伪栅极结构的两侧壁上形成侧墙的步骤。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述离子包括锗，所述离子注入层为锗化硅层。

10.一种采用如权利要求1-9中任一项所述的方法制造的半导体器件。