[发明专利]一种基于石墨烯的微测辐射热计在审
申请号: | 201510975460.0 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN105486414A | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | 杨俊;汤林龙;冯双龙;魏兴战;史浩飞;杜春雷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | G01J5/20 | 分类号: | G01J5/20;H01L31/09 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 辐射热 | ||
1.一种石墨烯微测辐射热计,包括硅基底、悬空孔、悬空支撑层、金属电极引线、红外敏 感层、石墨烯保护层、悬空支撑层微孔,其特征在于:
所述的硅基底为常规半导体硅片,硅基底上面分布有悬空孔;
所述的悬空支撑层,置于悬空孔上方,其材料包括氮化硅、二氧化硅、聚合物弹性体或 者其中二者的组合,厚度为20nm~5um;其中所述的聚合物弹性体为聚二甲基硅氧烷、聚氨 酯弹性体、硅橡胶、聚氨酯橡胶中的一种;
所述的红外敏感层是采用石墨烯作为宽波段红外吸收敏感层,红外敏感层置于悬空支撑 层上方,石墨烯的厚度为5nm~1000nm,石墨烯的形态包括石墨烯薄膜、石墨烯纳米墙以及 石墨烯微片等;
所述的石墨烯保护层,用以在制备工艺和使用过程中保护石墨烯免被破坏,具体材料包 括氮化硅、二氧化硅、碳化硅等,其厚度为10nm~500nm;
所述的悬空支撑层微孔为矩形盲孔,深度为1~100um,通过常规的微纳加工手段实 现,包括光刻、刻蚀等。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯微测辐射热计,其特征是所述的石墨烯薄膜是通过 CVD制备,并转移至悬空层上方,通过多次转移方式获得不同厚度石墨烯薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯微测辐射热计,其特征是所述的石墨烯纳米墙是通过 PECVD或者MPCVD方式制备,可以直接在悬空层上沉积,也可以在其他基底上制备后转 移至悬空层上方,石墨烯纳米墙的厚度可以通过生长工艺控制。
4.根据权利要求1所述的一种石墨烯微测辐射热计,其特征是所述的石墨烯微片是通过溶液 旋涂的方式沉积在悬空层上方,通过溶液的浓度、旋涂转速控制石墨烯厚度。
5.根据权利要求书1所述的石墨烯微测辐射热计,其特征是微测辐射热计单元器件的尺寸为 15×15um2~200×200um2,石墨烯敏感单元的填充因子为50%~95%。
6.根据权利要求1所述的石墨烯微测辐射热计,其特征是可以实现n×m阵列焦平面的器件 制备,其中n=1,2,3…的整数,m=1,2,3…的整数。
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