[发明专利]一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途有效
申请号: | 201510971671.7 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN105415803B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 柴颂刚;刘潜发;郝良鹏;殷卫峰 | 申请(专利权)人: | 广东生益科技股份有限公司 |
主分类号: | B32B15/04 | 分类号: | B32B15/04;B32B15/16;B32B27/04;B32B9/00;B32B33/00;H05K1/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋;侯潇潇 |
地址: | 523808 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 埋容材料 无机填料 介质层 树脂组合物层 树脂组合物 包覆处理 介电常数 陶瓷填料 介电 柔韧性 二氧化硅 固化物 氧化铝 制备 | ||
本发明提供一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途,所述介质层包含柔韧性良好的树脂组合物层,所述树脂组合物层由树脂组合物形成,所述树脂组合物含有经无机填料包覆处理的陶瓷填料,所述无机填料为二氧化硅/或氧化铝。在本发明中,通过添加经特定无机填料包覆处理的陶瓷填料,可以使埋容材料具有高的介电强度和介电常数,其制备得到的固化物的介电强度可以高达110‑180KV/mm,介电常数可达8.2‑13.4。
技术领域
本发明属于埋容材料技术领域,涉及一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途。
背景技术
随着电子器件向着高功能化、微型化方向发展,电子系统中的无源器件所占的比重越来越大。例如在手机中无源器件的数量是有源器件的20倍。目前无源器件主要采用表面贴装的方式(如分立式电容器件),占据着基板的大量空间,且面上互连长度和焊接点多,使得材料和系统的电性能及可靠性能大为降低。为了提供更加轻巧、性能更好、价格便宜、性能的可靠性更强的电子系统,将过去表面贴装型封装系统转换为埋入式封装系统是唯一的选择。在所有的无源器件中,电容器的数量最多,受到更加特别的关注。
为了节省电路板表面的空间并减少电磁干扰,将分立式电容器件以平板电容的材料形式(上下为两块金属电极,中间为绝缘介质的平板结构)埋进(层压进)多层印制电路板(PCB)中,是解决问题的趋势。
预获得具有较高应用价值的埋入式电容器,其介质材料需要具有高的电容率、较高的耐电压强度(低渗漏电流)、介质与金属电极之间有较高的剥离强度,以及具有良好的耐热性能和加工性能。
众所周知,作为埋入式电容器为了获得高的电容率需要具有薄的介质层厚度和较高的介电常数,以及较高的耐压强度。
为了解决耐电压强度的问题,美国申请专利US6693793揭示了一种中间加入耐热有机薄膜来作为支撑材料,来提高埋容材料的强度(即解决了脆性)和提高耐压强度,但是因为使用了介电常数低的有机薄膜作为中间夹层,所获得的埋容材料的介电常数不高。
关于陶瓷填料的表面修饰,DE102009037691A8通过在填料表面形成一层有机壳层,提高填料的分散性,但此方法对提高耐电压强度帮助不大。
CN103382240公开了一种高介电常数的钛酸钡/聚合物复合材料,所述复合材料包括如下体积百分含量的各组分:单核1~60%,内壳3~30%,外壳20~80%,所述单核为钛酸钡陶瓷颗粒,所述内壳为相对介电常数为4~10的聚酰胺,所述外壳为相对介电常数为3~4的聚甲基丙烯酸甲酯。
CN103987766A提供了涂覆的聚合物组合物,包含聚合物衬底和沉积在其至少一个表面上的无机材料,其中,与相同组合物的未涂覆的聚合物衬底相比,涂覆的聚合物组合物具有改善的介电强度。其中,所述聚合物衬底包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、尼龙、聚对苯二甲酸乙酯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、超高分子量聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚砜、聚酰胺、芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、聚对苯二甲酸丁酯、聚苯醚、丙烯腈丁二烯苯乙烯、聚醚酮、聚醚醚酮、聚甲醛塑料、聚偏氟乙烯、乙酸纤维素、或它们的组合,所述无机材料包含二氧化硅。
但是,上述已有技术提供的复合材料均无法有效改善埋容材料的耐电压强度和介电常数。
发明内容
针对已有技术的问题,本发明的目的在于提供一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途。采用该介质层的埋容材料具有高的介电强度和介电常数。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一方面,本发明提供一种埋容材料用介质层,所述介质层包含柔韧性良好的树脂组合物层,所述树脂组合物层由树脂组合物形成,所述树脂组合物含有经无机填料包覆处理的陶瓷填料,所述无机填料为二氧化硅和/或氧化铝。
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