[发明专利]一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法

权利要求书

1.一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）准备材料，制备带有再布线层Ⅰ的TSV转接板，TSV转接板背面减薄、露镀铜并切单；

（2）在载板上涂覆临时键合胶或热剥离薄膜；

（3）将TSV转接板正面朝上、阵列粘贴至载板上，布满载板；

（4）将倒装芯片倒装焊到每个转接板上，并填充底部填充胶；

（5）通过转注成型或压缩成型工艺或其他灌封工艺将塑封胶封到每个转接板之间、芯片之间以及芯片的上表面，并进行固化处理；

（6）对载板进行拆键合，去掉载板及临时键合胶或热剥离薄膜；

（7）在转接板背面制作一层钝化层Ⅰ，开窗漏出转接板通孔背面的铜；

（8）溅射一层种子层Ⅰ，然后在种子层Ⅰ上面涂覆光刻胶，显露出用于制作电镀线路的图形；

（9）采用电镀方法，在光刻胶显露的图形中制作一层再布线层Ⅱ，电镀Cu同时填充了导通孔；去除光刻胶及其底部的种子层；

（10）在再布线层Ⅱ上面涂覆钝化层Ⅱ，开窗；

（11）溅射一层种子层Ⅱ，在其上面涂覆光刻胶，显露出图形可制作UBM底部金属层；

（12）采用电镀方法制作UBM底部金属层Cu基，去除光刻胶及其底部的种子层；

（13）在铜基上植BGA焊球；

（14）切片并进行测试，即可。

2.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤（1）中TSV转接板为正面带有再布线层的TSV转接板。

3.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤（1）中再布线层为多层。

4.根据权利要求3所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：所述再布线层每层再布线层的厚度为3-5μm，材料为铜。

5.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：所述载板形状为方形或圆形。

6.根据权利要求5所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：所述圆形载板材料为硅、玻璃或可伐合金材料，方形载板为玻璃或双面覆铜板。

7.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤（4）中的倒装芯片为单颗裸芯片，或多颗裸芯片，或单组多层堆叠芯片组件，或若干组多层堆叠芯片组件，或裸芯片和多层堆叠芯片的组合。

8.根据权利要求7所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：所述单颗裸芯片倒装焊在每个TSV转接板上，多颗裸芯片分别倒装焊在每个TSV转接板上；若为单组多层堆叠芯片组件组装在每个TSV转接板上；若为若干组多层堆叠芯片组件分别组装在每个TSV转接板上；若为裸芯片和多层堆叠芯片分别组装在每个TSV转接板上。

9.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤（7）和步骤（10）中钝化层材料为PI或PBO或其他钝化材料。

10.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤（8）和步骤（11）中种子层材料为Ti/Cu。