[发明专利]用于提高膜均匀性的装置和方法

权利要求书

1.一种在沉积工艺期间控制对衬底的前体投配的方法，该方法包括：

(a)使第一工艺气体流动至所述衬底持续ALD沉积循环的投配阶段的第一时间段，其中，所述第一工艺气体包括第一载气和所述前体；

(b)使第二工艺气体流动至所述衬底持续所述ALD沉积循环的所述投配阶段的第二时间段，其中，所述第二时间段在所述第一时间段开始之后开始，所述第一和第二时间段至少部分地重叠，所述第二工艺气体包括第二载气，并且在输送到所述衬底之前，所述第二工艺气体与所述第一工艺气体混合持续其中所述第二时间段与所述第一时间段重叠的至少一部分时间段，并且从(a)至(b)总工艺气体的体积流率增加；

(c)停止(a)和(b)中的所述流动，其中所述第一工艺气体的至少一部分被吸附在所述衬底上；

(d)在(c)之后，使被吸附的前体反应，以在所述衬底上形成膜层；以及

(e)在(d)之后，在与(a)和(b)中的所述ALD沉积循环不同的ALD沉积循环期间针对所述衬底重复(a)和(b)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二工艺气体仅是载气。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，当所述衬底不完全布满吸附的前体时进行使所述吸附的前体反应。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述第二工艺气体不包含所述前体。

5.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述第一时间段在所述第二时间段结束之后结束。

6.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述第二时间段在所述第一时间段结束之后结束。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第二时间段在所述第一时间段已经结束之后继续的所述一部分期间输送的所述第二工艺气体从围绕所述衬底的体积去除至少一些未吸附的前体。

8.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述第一工艺气体经由第一流动通路输送，所述第二工艺气体经由第二流动通路输送，所述第二流动通路流体连接到所述第一流动通路，并且所述第二工艺气体与在所述第一流动通路的至少一部分中的所述第一工艺气体混合。

9.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，(a)至(c)是在5秒或少于5秒的时间段中进行。

10.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述衬底的直径是450毫米或少于450毫米。

11.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其进一步包括：

(f)在(a)之后，使第三工艺气体流动至所述衬底持续所述ALD沉积循环的所述投配阶段的第三时间段，其中所述第三时间段在所述第一时间段开始之后开始，所述第一和第三时间段至少部分地重叠，所述第三工艺气体包括第三载气，在输送到所述衬底之前所述第三工艺气体与至少所述第一工艺气体混合持续其中所述第三时间段与所述第一时间段重叠的至少一部分时间段，并且从(a)至(f)总工艺气体的体积流率增加。

12.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述第二载气选自由下列项组成的组：所述第一载气和与所述第一载气不同的载气。