[发明专利]一种新型封装及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型封装及其制造方法。

背景技术

封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，封装对于芯片是必须的，也是 至关重要的，其主要具有以下作用：1)保护：半导体芯片的生产车间都有非常 严格的生产条件控制，恒定的温度、恒定的湿度、严格的空气尘埃颗粒度控制及 严格的静电保护措施，以保证裸露的装芯片不会失效。但是，我们所生活的环境 不能满足这些条件，为了保护芯片，需要对其封装；2)支撑：支撑有两个作用， 一是支撑芯片，将芯片固定好便于电路的连接，二是封装完成以后，形成一定的 外形以支撑整个器件、使得整个器件不易损坏；3)连接：连接的作用是将芯片 的电极和外界的电路连通，引脚用于和外界电路连通，引线则将引脚和芯片的电 路连接起来，载片台用于承载芯片，环氧树脂粘合剂用于将芯片粘贴在载片台上， 引脚用于支撑整个器件，而塑封体则起到固定及保护作用；4)可靠性：可靠性 是整个封装工艺中最重要的衡量指标，封装芯片的工作寿命，主要取决于封装材 料和封装工艺的选择。

在半导体功率器件芯片封装中，芯片和引线框架(基板)的连接为电源和信 号的分配提供了电路连接。实现内部连接的方式有倒装焊、载带自动焊和引线键 合，目前90％以上的连接方式是引线键合。引线键合(打线)就是用非常细小 的线把芯片上焊盘和引线框架(或者基板)连接起来的过程。引线键合技术有两 种：球形焊接和楔形焊接。两种引线键合的基本步骤包括：形成第一焊点(通常 在芯片表面)，形成线弧，最后形成第二焊点(通常在引线框架/基板上)。

上述引线键合采用单点打线，这种方法的缺点是在器件开启时电流首先施加 在中心pad上，然后向周围传导，电流传导到距离中心pad较远的区域时通常有 延迟，尤其是对于面积较大的器件，这种延迟更明显，会导致器件局部电流聚集， 性能不稳定，甚至导致器件损坏。

发明内容

本发明的目的是提供一种新型封装及其制造方法，针对现有技术的不足，本 发明设计了一种新型引线键合结构，有助于电流的扩展，大大缓解由于电流扩展 延迟造成的局部电流聚集的问题，进一步提高器件性能的稳定性。

为了实现上述目的，本发明采取以下技术方案：

一种新型封装，所述封装包括至少一个pad区域(11)，所述封装包括同平 面设置的所述pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12) 和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13)，以及所述pad区域(11)、所述 发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。

所述的新型封装的第一优选技术方案，所述发射状压焊条(12)的宽度为 1～1000μm，数量为2～1000个。

所述的新型封装的第二优选技术方案，所述环状压焊条(13)的宽度为 1～1000μm，数量为2～1000个，所述环的直径为1～100000μm。

所述的新型封装的第三优选技术方案，所述拉线螺旋缠绕作为引线。

所述的新型封装的第四优选技术方案，所述pad区域(11)为单金属层或复 合金属层。

所述的新型封装的第五优选技术方案，制备所述pad区域(11)的金属为选 自Al、Ag、Cu、Ni、Ti和W中的一种或几种组份的金属。

所述的新型封装的第六优选技术方案，所述发射状压焊条(12)由单金属层 或复合金属层制备而成。

所述的新型封装的第七优选技术方案，所述环状压焊条(13)由单金属层或 复合金属层制备而成。

所述的新型封装的第八优选技术方案，制备所述发射状压焊条(12)和环状 压焊条(13)的金属为选自Al、Ag、Cu、Ni、Ti和W中的一种或几种组份的 金属。

一种所述新型封装的制造方法包括：

1)制作含有pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的 压焊模型；

2)将pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的拉线螺 旋缠绕形成引线。

与最接近的现有技术比，本发明具有如下有益效果：