[发明专利]一种天麻素化合物及其制剂

权利要求书

1.一种天麻素化合物晶体，其结构如式Ⅰ所示：

其特征在于，所述天麻素化合物晶体采用X-射线粉末衍射测定得到的X-射线粉末衍射图谱中在2θ±0.2°为7.79°、13.91°、17.64°、19.78°、29.35°、32.26°和37.91°处显示特征峰。

2.根据权利要求1所述的天麻素化合物晶体，其特征在于，所述天麻素化合物晶体具有如下表所示的X-射线粉末衍射特征参数：

2θd7.7911.3413.916.3617.645.0219.784.4829.353.0432.262.7737.912.37

其中，2θ和d值的误差为±0.2。

3.一种权利要求1或2所述的天麻素化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：

a)将NaCl加入到蒸馏水中，常温搅拌至完全溶解后，加热至沸腾，并浓缩体积至原来体积的1/2～1/3，趁热过滤析出得NaCl晶体，50-70℃真空干燥8-10h，得NaCl干晶，备用；

b)取天麻素原料加入蒸馏水中，溶解，加入针用活性炭煮沸，冷却，过滤脱出针用活性炭，滤液加热至沸腾，然后以每小时降温10～15℃的降温速度恒速降温至50～60℃，加入步骤a)所得的NaCl干晶，于50～60℃下诱导2-3h后，5-10℃下静置8-10h；

c)取步骤b)产物，过滤，用蒸馏水抽洗，然后抽干，真空干燥，即得所述的天麻素化合物晶体；

其中，步骤b)中所述的天麻素原料与蒸馏水、NaCl干晶的质量投料比例为40-45：100：0.05-0.5。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述的NaCl与蒸馏水的质量投料比例为35-36:100。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述的溶解为于60～80℃下加热搅拌至溶解；所述的冷却为冷却至60～80℃。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述的煮沸为煮沸1-2小时。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述的用蒸馏水抽洗为用5-10℃蒸馏水抽洗3次，所述的真空干燥为在50-70℃下真空干燥24h或以上。