[发明专利]一种电流采样方法及空调设备在审
| 申请号: | 201510944372.4 | 申请日: | 2015-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN105450094A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
| 发明(设计)人: | 陈跃;刘启武;涂小平;王声纲;朱绯;程远银 | 申请(专利权)人: | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号: | H02P6/00 | 分类号: | H02P6/00;G01R19/00 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电流 采样 方法 空调设备 | ||
1.一种电流采样方法,其特征在于,所述方法包括:
获得电机的三个相电流在调制波对应的PWM波中每个相电流对应的高电平持续时长;其中,所述PWM波的周期与所述调制波的周期相同;
根据所述高电平持续时长及所述调制波的周期,判断通过所述电机的单电阻采样电路进行的第n次采样的采样电流是否为有效电流,n为大于等于2的正整数;
若所述第n次采样对应的采样电流无效,将第n-1次采样的采样电流的电流估计值作为所述第n次采样的采样电流。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在获得电机的三个相电流在与调制波对应的PWM波中每个相电流对应的高电平持续时长之后,还包括:
根据所述高电平持续时长、所述PWM波中死区的插入方式及所述电机的单电阻采样电路中绝缘栅双极型晶体管IGBT的开通时长和关断时长,设置第一采样点和第二采样点;
按照所述第一采样点及所述第二采样点对所述电机进行第n次采样。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,
在判断通过所述电机的单电阻采样电路进行的第n次采样的采样电流是否为有效电流之前,还包括:
根据所述PWM波中死区的插入方式及所述IGBT上的电流延迟时长,确定第一阈值和第二阈值;其中,所述第一阈值和所述第二阈值用于判断所述单电阻采样电路是否能在所述第一采样点及所述第二采样点完成电流采样;
所述根据所述高电平持续时长及所述调制波的周期,判断通过所述电机对应的单电阻采样电路进行的第n次采样的采样电流是否为有效电流,包括:
根据所述高电平持续时长及所述第一阈值,判断所述第一采样点对应的第一采样电流是否为有效电流;及
根据所述高电平持续时长与所述第一阈值和所述第二阈值,判断所述第二采样点对应的第二采样电流是否为有效电流。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述PWM波中死区的插入方式及所述单电阻采样电路中IGBT上的电流延迟时长,确定第一阈值和第二阈值,包括:
根据所述PWM波中死区的插入方式及所述IGBT上的电流延迟时长,按照第一公式或第二公式确定所述第一阈值,及按照第三公式确定所述第二阈值;
其中,所述第一公式为:
Q1=Td+Ton+Tring+Tsh+Tcon
所述第二公式为:
Q1=Ton+Tring+Tsh+Tcon
所述第三公式为:
Q2=Td+Ton+Tring-Tof+Tsh,
Q1为所述第一阈值对应的时长,Q2为所述第二阈值对应的时长,Td为所述MCU规定的死区时长,Ton为所述IGBT的开通时长,Tring为与所述IGBT相应的智能功率模块IPM中信号振铃时长,Tsh为所述MCU进行模拟/数字A/D采样的持续时长,Tcon为A/D转换的时长,Tof为所述IGBT的关断时长,所述第一公式对应所述PWM波中死区插入方式中的第一插入方式,所述第二公式对应所述PWM波中死区插入方式中的第二插入方式,所述第一插入方式为所述PWM波的死区在所述调制波的振幅与所述三个相电流的高电平持续时长的值相等之后插入,所述第二插入方式为所述PWM波的死区在所述调制波的振幅与所述三个相电流的高电平持续时长的值相等之前插入。
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