[发明专利]薄膜晶体管基板、包括其的显示装置及其制造方法

说明书

薄膜晶体管(TFT)基板包括绝缘层、所述绝缘层上的电极、和连接所述电极的侧表面至所述绝缘层的上表面的主缓冲层。

相关申请的交叉参考

于2014年12月19日在韩国知识产权局提交的且标题为“薄膜晶体管基板、包括其的显示装置、其制造方法和包括其的显示装置的制造方法(Thin Film TransistorSubstrate,Display Apparatus Including The Same,Method Of Manufacturing TheSame,and Method Of Manufacturing Display Apparatus Including The Same)”的韩国专利申请No.10-2014-0184955通过引用整体并入本文。

技术领域

本申请的一个或多个示例性实施方式涉及薄膜晶体管(TFT)基板、包括所述TFT基板的显示装置、制造所述TFT基板的方法和制造显示装置的方法。更特别地，一个或多个示例性实施方式涉及制造的无缺陷或具有减少缺陷的TFT基板、包括所述TFT基板的显示装置、制造所述TFT基板的方法和制造所述显示装置的方法。

背景技术

通常，薄膜晶体管(TFT)基板为包括形成于基板上的TFT的结构，所述TFT包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极。显示装置可通过使用此类TFT基板来制造。

发明概述

本申请的一个或多个示例性实施方式包括无制造缺陷或具有减少的制造缺陷的薄膜晶体管(TFT)基板、包括所述TFT基板的显示装置、制造所述TFT基板的方法和通过使用上述方法制造所述显示装置的方法。

根据一个或多个示例性实施方式，薄膜晶体管(TFT)基板包括绝缘层、于所述绝缘层上的电极、和连接所述电极的侧表面和所述绝缘层的上表面的主缓冲层。

主缓冲层可从所述电极的上边缘延伸至所述绝缘层的上表面，所述电极的整个侧表面由主缓冲层覆盖，以及所述电极的上边缘为电极的上表面和侧表面的交叉线。

主缓冲层和第一辅助缓冲层可彼此一体成形。

第一辅助缓冲层可以具有约或以下的厚度。

TFT基板进一步可以包括形成于所述电极的上表面上、具有均匀厚度、且连接至主缓冲层的第二辅助缓冲层。主缓冲层和第二辅助缓冲层可彼此一体成形。第二辅助缓冲层可以具有约或以下的厚度。

第二辅助缓冲层的均匀厚度可小于第一辅助缓冲层的均匀厚度。

主缓冲层具有凹表面。

第一辅助缓冲层可以包括硅氧烷类材料。第一辅助缓冲层可以包括含有15重量％至50重量％的氧化硅的硅氧烷类材料。

TFT电极可以为栅电极。

根据一个或多个示例性实施方式，显示装置包括：上文所述的TFT基板；和布置于所述TFT基板上的显示装置。所述电极可以为栅电极。

根据一个或多个示例性实施方式，制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法，所述方法包括：在基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成电极；以及在所述绝缘层上形成第一辅助缓冲层、所述电极上的第二辅助缓冲层以及连接所述电极的侧表面和所述绝缘层的上表面的主缓冲层。

第一辅助缓冲层、第二辅助缓冲层和主缓冲层可以包括相同材料。第一辅助缓冲层、第二辅助缓冲层和主缓冲层可以包括硅氧烷类材料。硅氧烷类材料可以含有15重量％至50重量％的氧化硅。

可经由狭缝涂布方法或旋转涂布方法形成第一辅助缓冲层、第二辅助缓冲层和主缓冲层。第一辅助缓冲层可以具有第一厚度且第二辅助缓冲层可以具有第二厚度，其中所述第一厚度和第二厚度为均匀的。第一厚度可大于第二厚度。