[发明专利]薄膜晶体管基板、包括其的显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其由以下组成：

绝缘层；

在所述绝缘层上的电极；和

连接所述电极的侧表面和所述绝缘层的上表面的主缓冲层，其中所述主缓冲层从所述电极的上边缘延伸至所述绝缘层的上表面，所述电极的整个侧表面由所述主缓冲层覆盖，且所述电极的上边缘为所述电极的上表面和侧表面的交叉线，

其中所述主缓冲层包括硅氧烷类材料，并且其中所述硅氧烷类材料含有基于所述硅氧烷类材料的总重量15重量％至50重量％的量的氧化硅。

2.一种薄膜晶体管基板，其由以下组成：

绝缘层；

在所述绝缘层上的电极；和

连接所述电极的侧表面和所述绝缘层的上表面的主缓冲层，其中所述主缓冲层从所述电极的上边缘延伸至所述绝缘层的上表面，所述电极的整个侧表面由所述主缓冲层覆盖，且所述电极的上边缘为所述电极的上表面和侧表面的交叉线，

其中所述薄膜晶体管基板进一步包含所述绝缘层的上表面上的第一辅助缓冲层，所述第一辅助缓冲层具有均匀厚度，且连接至所述主缓冲层，

其中所述第一辅助缓冲层包括硅氧烷类材料，并且其中所述硅氧烷类材料含有基于所述硅氧烷类材料的总重量15重量％至50重量％的量的氧化硅，

其中所述主缓冲层和所述第一辅助缓冲层彼此成一体，

其中所述第一辅助缓冲层具有或以下的厚度。

3.一种薄膜晶体管基板，其由以下组成：

绝缘层；

在所述绝缘层上的电极；和

连接所述电极的侧表面和所述绝缘层的上表面的主缓冲层，其中所述主缓冲层从所述电极的上边缘延伸至所述绝缘层的上表面，所述电极的整个侧表面由所述主缓冲层覆盖，且所述电极的上边缘为所述电极的上表面和侧表面的交叉线，

所述薄膜晶体管基板进一步包含所述绝缘层的上表面上的第一辅助缓冲层和所述电极的上表面上的第二辅助缓冲层，所述第一辅助缓冲层具有均匀厚度，且连接至所述主缓冲层，所述第二辅助缓冲层具有均匀厚度，且连接至所述主缓冲层，

其中所述主缓冲层和所述第一辅助缓冲层彼此成一体，

其中所述第一辅助缓冲层具有或以下的厚度，

其中所述主缓冲层和所述第二辅助缓冲层彼此成一体，

其中所述第二辅助缓冲层具有或以下的厚度，

其中所述第一辅助缓冲层、所述第二辅助缓冲层和所述主缓冲层包括硅氧烷类材料，并且其中所述硅氧烷类材料含有基于所述硅氧烷类材料的总重量15重量％至50重量％的量的氧化硅。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二辅助缓冲层的均匀厚度小于所述第一辅助缓冲层的均匀厚度。

5.如权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中所述主缓冲层具有凹表面。

6.如权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中所述电极为栅电极。

7.一种显示装置，其包含：

如权利要求1-6中任一项所述的薄膜晶体管基板；和

布置于所述薄膜晶体管基板上的显示装置。

8.一种制造薄膜晶体管基板的方法，所述方法包括：

于基板上形成绝缘层；

于所述绝缘层上形成电极；以及

形成连接所述电极的侧表面和所述绝缘层的上表面的主缓冲层，

所述方法进一步包含于所述绝缘层上形成第一辅助缓冲层，和于所述电极上形成第二辅助缓冲层，以使所述第一辅助缓冲层、所述第二辅助缓冲层和所述主缓冲层包括硅氧烷类材料，

其中所述硅氧烷类材料含有基于所述硅氧烷类材料的总重量15重量％至50重量％的量的氧化硅，

其中所述第一辅助缓冲层具有或以下的厚度，

其中所述第二辅助缓冲层具有或以下的厚度。

9.如权利要求8所述的方法，其中经由狭缝涂布方法或旋转涂布方法形成所述第一辅助缓冲层、所述第二辅助缓冲层和所述主缓冲层。