[发明专利]改进半导体器件性能波动的方法

权利要求书

1.一种改进半导体器件性能波动的方法，其特征在于包括：

第一步骤：对于以晶圆批次为单位进行派工的半导体生产线及其生产制造执行系统，当晶圆批次至特定工艺步骤时，该生产制造执行系统按照该批次所属工艺的工艺流程，派工该批次晶圆到相应的机台并执行指定的工艺程式；

第二步骤：对器件有效沟道长度波动控制有更高要求的生产工艺，将该生产工艺流程中轻掺杂漏离子注入部分优化成自动补偿工艺整合流程，该自动补偿工艺整合流程将蚀刻后栅极关键尺寸大小进行分组，并且针对不同组设定相应的轻掺杂漏极离子注入工艺程式；

第三步骤：针对包含以上自动补偿工艺整合流程的生产工艺建立栅极蚀刻程式名称列表；

第四步骤：对栅极蚀刻程式属于所述栅极蚀刻程式名称列表的一个或者多个晶圆批次，按照所述生产制造执行系统进行栅极蚀刻步骤的派工；

第五步骤：在蚀刻机台本身自有系统对该批次晶圆进行自动选片进入反应室之前介入控制程序，该程序控制实现属于相同批次的全部晶圆都进入相同的蚀刻反应室。

2.根据权利要求1所述的改进半导体器件性能波动的方法，其特征在于还包括：

第六步骤：在栅极蚀刻完成后量测蚀刻后栅极关键尺寸，在轻掺杂漏极离子注入步骤由所述生产制造执行系统执行自动补偿工艺整合流程，按照其栅极关键尺寸所属分组对应的工艺程式进行相应的轻掺杂漏离子注入。

3.根据权利要求1或2所述的改进半导体器件性能波动的方法，其特征在于，蚀刻机台的反应室的数量至少为两个。

4.根据权利要求1或2所述的改进半导体器件性能波动的方法，其特征在于，所述半导体器件是其性能对栅极最小关键尺寸波动敏感的短沟道器件。

5.根据权利要求1或2所述的改进半导体器件性能波动的方法，其特征在于，所述半导体器件是MOS器件。

6.根据权利要求1或2所述的改进半导体器件性能波动的方法，其特征在于，所述半导体器件是CMOS器件。

7.根据权利要求1或2所述的改进半导体器件性能波动的方法，其特征在于，所述栅极刻蚀反应室用于对晶圆的栅极进行干法刻蚀。

8.根据权利要求1或2所述的改进半导体器件性能波动的方法，其特征在于，器件有效沟道长度要求严格指的是器件有效沟道长度要求被设定为预定范围。