[发明专利]一种存储单元的擦除方法有效
| 申请号： | 201510933666.7 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105551524B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 刘会娟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/08;G11C16/24;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 擦除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储单元的擦除方法，其特征在于，包括：
S1、接收编程操作指令；
S2、对存储单元进行选择，选中的存储单元的字线以及位线接第一编程电压，未被选中的存储单元的字线悬空，位线接电压源；
S3、对选中的存储单元的字线加编程脉冲；
S4、对选中的存储单元的阱CWELL加擦除电压脉冲；
S5、进行编程验证，如果验证成功则结束编程操作，否则执行步骤S2；
其中，对选中的存储单元的字线加编程脉冲包括：
对选中的存储单元的字线加至少两个编程脉冲。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一编程电压为-5V～10V。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，未被选中的存储单元的字线悬空，位线接电压源，包括：通过电容耦合效应，将未被选中的存储单元的字线电压提高至第二编程电压。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二编程电压为3V～15V，电压源电压为1.5V～2.5V。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行编程验证包括：对比读出的数据与写入的数据是否一致，如果一致，则说明验证成功，否则，验证失败。
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