[发明专利]在OLED基底上形成图案化涂层的装置和方法

说明书

本申请是申请号为201080040420.2(国际申请号为 PCT/US2010/045246)、申请日为2010年8月12号、发明名称为“在OLED 基底上形成图案化涂层的装置和方法”的发明专利申请的分案申请。

背景技术

在OLED装置中，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，在发射层中 结合产生单重态和三重态激子，其能够辐射衰变产生光或非辐射衰变产 生热。对于大多数有机分子，来自三重态的光发射是自旋-禁阻过程，其 不能与非辐射模式的衰变充分竞争，因此三重态激子不是非常发射性的。 过渡金属配合物由于自旋-轨道耦合，能够具有与非辐射方式竞争的有效 的辐射性衰变。当这些配合物并入OLED装置时，可能达到接近100％的 内部量子效率，因为在装置中产生的单重态和三重态激子都能发射光。

如果在柔性塑料膜上卷对卷(rolltoroll,R2R)制作有机发光二极管 (OLED)装置，则可总称为OLED层的有机层，例如空穴注入层(HIL)、 空穴传输层(HTL)、发射材料层(EML)和电子传输层(ETL)，可以 高通过量低成本地通过印刷方法例如狭缝型模头挤压式(slotdie)或凹版 印刷涂布来连续涂布，和通过溶液辅助擦拭方法(US20050129977A1) 连续地图案化。但是无机电子注入层(EIL)和金属阴极(图案化铝)层 仅能够采用起停(stop-and-go)间歇过程通过真空荫罩蒸发来放置。

间歇荫罩蒸发过程是一种起停过程，其中具有OLED层的基底 (OLED基底)首先移至位置，停止移动，并且将平面金属荫罩推至OLED 基底表面。随后通过荫罩将EIL材料(例如NaF、KF，等)和金属(例 如铝、钙、钡，等)蒸发到基底上。该起停操作造成低通过量过程，其 限制了OLED生产线的速度。

发明简述

本发明的目的在于，在基于蒸发(vapor)的沉积系统中使用选择性掩 蔽，在连续移动的OLED基底上直接产生预先确定的涂层巷道(lane)。

在一方面，本发明涉及一种用于在基于卷对卷蒸发的沉积过程中在 OLED基底上施加图案化涂层的装置，包括：蒸发沉积源，能够在OLED 基底上沉积涂层；处理滚筒，能够放置用于通过蒸发沉积源涂布的OLED 基底；驱动辊，能够将OLED基底从送料辊传输至卷取辊和控制处理滚 筒上OLED基底的张力；和紧密(close)接近处理滚筒的荫罩，其中荫罩 的弧度与处理滚筒的弧度匹配。荫罩包括一个或多个与OLED基底移动 方向平行的掩蔽线特征和一个或多个与OLED基底移动方向垂直的束特 征，其中掩蔽线特征选择性地防止涂层沉积在OLED基底上，以在涂布 带之间形成巷道，其中束特征提供线特征的机械支撑。

在另一个方面，本发明涉及一种在基于卷对卷蒸发的沉积过程中在 OLED基底上施加图案化涂层的方法。该方法包括：提供OLED基底， 提供驱动辊以允许OLED基底从送料辊连续移动至卷取辊，提供放置在 送料辊和卷取辊之间的处理滚筒和荫罩，提供放置在荫罩下方的蒸发沉 积源，在送料辊和卷取辊上放置OLED基底，使得OLED基底卷绕在处 理滚筒上并紧密接近荫罩，使用驱动辊将OLED基底从送料辊传输至卷 取辊，并且由蒸发沉积在OLED基底上沉积涂层。该荫罩紧密接近处理 滚筒并且匹配处理滚筒的弧度，并且包括：一个或多个与驱动辊移动方 向平行的掩蔽线特征，其中掩蔽线特征选择性地防止涂层沉积在OLED 基底上，以在涂布带之间形成巷道；和一个或多个与OLED基底移动方 向垂直的束特征，其中束特征提供线特征的机械支撑。

附图

当参考附图阅读以下详述时，本发明的这些和其它特征、方面和优 点将变得更好理解，其中在整个附图中相同的符号代表相同的元件。

图1是在OLED基底上施加图案化涂层的典型装置。

图2是显示线和束特征的典型荫罩。

图3显示了相对处理滚筒放置的荫罩。

图4a显示了大面积OLED发光装置，以及阴极涂层带的准直 (alignment)。

图4b显示了在每层中未涂布区域之间具有偏距的层状OLED结构。

图5是具有凹进区域的典型处理滚筒。

图6显示了具有单一沉积源的双滚筒系统的多个视图。

图7是一种在OLED基底上施加图案化涂层的方法的流程图。

发明详述