[发明专利]在OLED基底上形成图案化涂层的装置和方法

权利要求书

1.一种用于在基于卷对卷蒸发的沉积过程中在OLED基底上施加图案化涂层的装置，其包括：

处理滚筒，能够放置用于通过蒸发沉积源涂布的OLED基底；

驱动辊，能够从送料辊传输OLED基底至卷取辊和控制处理滚筒上OLED基底的张力；和

荫罩，其中荫罩的弧度与处理滚筒的弧度匹配，且其中所述荫罩紧密接近处理滚筒地放置以产生间隙，OLED基底适于穿过其该间隙从送料辊移动至卷取辊而与所述荫罩没有物理接触，并且其中所述荫罩包括；

一个或多个与OLED基底移动方向平行的掩蔽线特征，其中所述掩蔽线特征选择性地防止涂层沉积在OLED基底的一个或多个区域上；和

一个或多个与OLED基底移动方向垂直的束特征，其中所述束特征提供线特征的机械支撑。

2.如权利要求1所述的装置，其中蒸发沉积源选自热蒸发源、电子束蒸发源、离子束辅助蒸发源、等离子体辅助蒸发源、DC溅射、DC磁控溅射、AC溅射、脉冲DC溅射和RF溅射。

3.如权利要求1所述的装置，其中荫罩进一步包括一个或多个支撑结构，以将荫罩连接至处理滚筒的轴。

4.如权利要求1所述的装置，其中掩蔽线特征包括弯曲金属带，其中金属带的弧度与处理滚筒的弧度匹配，并且所述金属带的厚度由OLED基底上将形成未涂布图案区域的宽度确定。

5.如权利要求1所述的装置，其中一个或多个束特征包括具有冷却通道的中空金属管，以调节荫罩的温度。

6.如权利要求1所述的装置，其进一步包括校直装置以在处理滚筒上校直OLED基底。

7.如权利要求6所述的装置，其中校直装置包括处理滚筒上的凹进区域，并且其中在涂布过程期间OLED基底放置在所述凹进区域内。

8.如权利要求6所述的装置，其中校直装置包括导引控制系统，其中所述导引控制系统监控和调节处理滚筒上OLED基底的位置。

9.如权利要求1所述的装置，其中处理滚筒和荫罩之间的距离从约1微米到约2000微米。

10.如权利要求1所述的装置，其中荫罩由低热膨胀合金构成。

11.如权利要求10所述的装置，其中低热膨胀合金为INVAR^?。

12.如权利要求1所述的装置，其进一步包括第二处理滚筒，其中第一处理滚筒和所述第二处理滚筒放置在离蒸发沉积源不同的距离处，以允许在OLED基底上施加两个涂布层，所述涂布层将以不同的沉积速度施加。

13.如权利要求1所述的装置，其中蒸发沉积源进一步包括开闭器装置，以中间阻止涂层沉积在OLED基底上。

14.一种在基于卷对卷蒸发的沉积过程中在OLED基底上施加图案化涂层的方法，其包括：

提供OLED基底；

提供驱动辊以允许OLED基底从送料辊连续移动至卷取辊；

提供放置在送料辊和卷取辊之间的处理滚筒和荫罩，其中荫罩紧密接近处理滚筒并且匹配处理滚筒的弧度，并且其中荫罩包括；

一个或多个与OLED基底移动方向平行的掩蔽线特征，其中所述掩蔽线特征选择性地防止涂层沉积在OLED基底的一个或多个区域上；和

一个或多个与OLED基底移动方向垂直的束特征，其中所述束特征提供掩蔽线特征的机械支撑；

在送料辊和卷取辊上放置OLED基底，使得OLED基底卷绕在处理滚筒上并紧密接近荫罩；

使用驱动辊将OLED基底从送料辊传输至卷取辊；和

由蒸发沉积源通过荫罩在OLED基底上沉积涂层。

15.如权利要求14所述的方法，其中蒸发沉积源选自热蒸发源、电子束蒸发源、离子束辅助蒸发源、等离子体辅助蒸发源、DC溅射、DC磁控溅射、AC溅射、脉冲DC溅射和RF溅射。

16.如权利要求14所述的方法，其中处理滚筒和荫罩之间的距离从约1微米到约2000微米。

17.如权利要求14所述的方法，其中荫罩由低热膨胀合金构成。