[发明专利]一种氧化镁晶体粉制备方法

说明书

技术领域

本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种氧化镁晶体粉制备方法。

背景技术

高纯电熔氧化镁具有优良的耐高温和电绝缘性能，广泛应用于国防军工、耐火材料、耐高温、耐绝缘仪表、电器、铠装热电偶、铠装式加热器等。其一般采用优质纯碱和卤水合成高纯氧化镁，再经电熔，制取高纯度、高密度和低硼的优质电熔氧化镁。

高纯氧化镁棒是专用于高功率单端电热管的产品，具有绝缘、耐压性能、传热效果好等优点。高纯氧化镁棒采用高纯电熔氧化镁经过粉碎、挤压成型，再经高温煅烧而成。

从高纯氧化镁到电熔氧化镁，需要经过电熔冶炼过程，电熔过程中，原料损耗大，电极周围容易引进杂质，最重要的是需要消耗大量电能。因此，为高纯氧化镁棒提供优质的电熔氧化镁粉的同时，需要提高原料的投入产出比和降低电能消耗。

发明内容

为了降低优质的电熔氧化镁粉的制备成本，本发明提供一种氧化镁晶体粉制备方法。

本发明的目的是通过以下措施来达到：提供一种氧化镁晶体粉制备方法，其使用高纯氧化镁为原料，采用球磨水化、干燥、烧结后降温、粉粹来获得氧化镁晶体粉。

一优选方案为：球磨水化的用水量与氧化镁的重量比大于1:2。

一优选方案为：球磨水化温度在50～100℃之间。

一优选方案为：所用球磨水化过程中加入表面活性剂；表面活性剂优选碱性阴离子表面活性剂，如十二烷基苯磺酸钠、甲基苯磺酸钠等的一种或任意组合的混合物。。

一优选方案为：干燥温度在100～150℃之间进行。

一优选方案为：烧结温度1600～1750℃，停留2～30小时；烧结后降温速率为20～100℃每小时，400℃后自然降温。

有益效果：本发明制备过程中具有原料损耗低、流程简单、低能耗的特点。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明进行详细说明。

本发明提供一种氧化镁晶体粉制备方法，其使用高纯氧化镁为原料，采用球磨水化、干燥、烧结后降温、粉粹来获得氧化镁晶体粉。

一优选方案为：球磨水化的用水量与氧化镁的重量比大于1:2。

一优选方案为：球磨水化温度在50～100℃之间。

一优选方案为：所用球磨水化过程中加入表面活性剂；表面活性剂优选碱性阴离子表面活性剂，如十二烷基苯磺酸钠、甲基苯磺酸钠等的一种或任意组合的混合物。

一优选方案为：干燥温度在100～150℃之间进行。

一优选方案为：烧结温度1600～1750℃，停留2～30小时；烧结后降温速率为20～100℃每小时，400℃后自然降温。

采用球磨设备进行水化，可以使氧化镁颗粒外层水化生成的氢氧化镁快速剥离。球磨水化过程中为使氧化镁充分水化，使用超过氧化镁水化所需的水量。球磨水化过程中加入表面活性剂，将水化生成的纳米级氢氧化镁包覆，防止其结合成大粒径颗粒，影响其烧结活性。

实施例

100g高纯氧化镁、100ml80℃去离子水、1g十二烷基苯磺酸钠，在球磨机中进行水化，运行30分钟。球磨后的浆料在马弗炉中，120℃烘干。再升温至1600℃进行烧结，停留5小时。烧结后以每小时30℃的速率进行降温，400℃后自然冷却降温。再将所得物料粉碎，即得到氧化镁晶体粉末。

以上内容是结合优选技术方案对本发明所做的进一步详细说明，不能认定发明的具体实施仅限于这些说明。对本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的构思的前提下，还可以做出简单的推演及替换，都应当视为本发明的保护范围。