[发明专利]一种氧化镁晶体粉制备方法在审
| 申请号： | 201510931207.5 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105329922A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 曾卫军 | 申请（专利权）人： | 营口镁质材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01F5/02 | 分类号： | C01F5/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 115000 辽宁省营口市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化镁 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，使用高纯氧化镁为原料，采用球磨水化、干燥、烧结后降温、粉粹来获得氧化镁晶体粉。
2.根据权利要求1所述的一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，所用球磨水化的用水量与氧化镁的重量比大于1:2。
3.根据权利要求1所述的一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，所用球磨水化温度在50～100℃之间。
4.根据权利要求1-3任一所述的球磨水化，其特征在于，所用球磨水化过程中加入表面活性剂；表面活性剂优选碱性阴离子表面活性剂，如十二烷基苯磺酸钠、甲基苯磺酸钠等的一种或任意组合的混合物。
5.根据权利要求1所述的一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，所用干燥温度在100～150℃之间进行。
6.根据权利要求1所述的一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，所用烧结温度1600～1750℃，停留2～30小时；烧结后降温速率为20～100℃每小时，400℃后自然降温。
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