[发明专利]光掩模的制造方法以及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201510926381.0 | 申请日: | 2015-12-14 |
公开(公告)号: | CN105717738B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 吉川裕 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G03F1/82 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于英慧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 以及 显示装置 | ||
1.一种光掩模的制造方法,包含以下工序:通过对在透明基板上形成有光学膜的光掩模基板的所述光学膜进行构图,形成转印用图案,所述光掩模的制造方法的特征在于,包含以下工序:
准备光掩模基板的工序,该光掩模基板是在所述透明基板上形成光学膜,并在该光学膜上涂覆第1抗蚀剂膜而得到的;
第1抗蚀剂图案形成工序,对所述第1抗蚀剂膜描绘第1描绘图案并进行显影;
第1构图工序,将所述第1抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻去除所述光学膜,使所述透明基板的表面局部露出;
剥离所述第1抗蚀剂图案,并重新涂覆第2抗蚀剂膜的工序;
第2抗蚀剂图案形成工序,对所述第2抗蚀剂膜描绘第2描绘图案并进行显影,分别使所述透明基板的表面的一部分和所述光学膜的表面的一部分露出;
第2构图工序,将所述第2抗蚀剂图案作为掩模,对所述光学膜进行蚀刻减膜;以及
剥离所述第2抗蚀剂图案的工序,
以所述第2抗蚀剂图案中的所述透明基板的露出部分成为比所述第1抗蚀剂图案中的所述透明基板的露出部分小规定量的尺寸的方式,对所述第2描绘图案实施了尺寸减小。
2.一种光掩模的制造方法,所述光掩模在透明基板上具备转印用图案,该转印用图案包含透光部和具有期望的曝光光透射率的半透光部,所述光掩模的制造方法的特征在于,包含以下工序:
准备光掩模基板的工序,该光掩模基板是在所述透明基板上形成光学膜,并在该光学膜上涂覆第1抗蚀剂膜而得到的;
第1抗蚀剂图案形成工序,通过对所述第1抗蚀剂膜描绘第1描绘图案并进行显影,去除与所述透光部对应的部分的第1抗蚀剂膜;
第1构图工序,将所述第1抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻去除所述光学膜,使所述透明基板的表面露出;
剥离所述第1抗蚀剂图案,并重新涂覆第2抗蚀剂膜的工序;
第2抗蚀剂图案形成工序,通过对所述第2抗蚀剂膜描绘第2描绘图案并进行显影,去除与所述透光部和所述半透光部分别对应的部分的第2抗蚀剂膜;
第2构图工序,将所述第2抗蚀剂图案作为掩模,对所述光学膜进行蚀刻减膜,形成具有期望的曝光光透射率的半透光部;以及
剥离所述第2抗蚀剂图案的工序,
所述第2描绘图案是对与所述透光部对应的部分实施了尺寸减小而得到的,该尺寸减小使该部分相对于所述透光部的设计尺寸减小规定量的尺寸。
3.根据权利要求2所述的光掩模的制造方法,其特征在于,
对所述光学膜进行蚀刻减膜时的蚀刻速度作为曝光光的透射率变化量,是0.3%/min~5.0%/min。
4.根据权利要求2所述的光掩模的制造方法,其特征在于,
进行所述蚀刻减膜的所述光学膜的膜厚为
5.一种光掩模的制造方法,所述光掩模在透明基板上具备转印用图案,该转印用图案包含遮光部、透光部和具有期望的曝光光透射率的半透光部,所述光掩模的制造方法的特征在于,包含以下工序:
准备光掩模基板的工序,该光掩模基板是在所述透明基板上层叠半透光膜、蚀刻阻挡膜和遮光膜,并在该层叠的膜上涂覆第1抗蚀剂膜而得到的;
第1抗蚀剂图案形成工序,通过对所述第1抗蚀剂膜描绘第1描绘图案并进行显影,去除与所述透光部对应的部分的第1抗蚀剂膜;
第1构图工序,将所述第1抗蚀剂图案作为掩模,蚀刻去除所述遮光膜、所述蚀刻阻挡膜和所述半透光膜,使所述透明基板的表面露出;
剥离所述第1抗蚀剂图案,并重新涂覆第2抗蚀剂膜的工序;
第2抗蚀剂图案形成工序,通过对所述第2抗蚀剂膜描绘第2描绘图案并进行显影,去除与所述透光部和所述半透光部分别对应的部分的第2抗蚀剂膜;
第2构图工序,将所述第2抗蚀剂图案作为掩模,蚀刻去除所述遮光膜和所述蚀刻阻挡膜,进而对所述半透光膜进行蚀刻减膜,形成具有所述期望的曝光光透射率的所述半透光部;以及
剥离所述第2抗蚀剂图案的工序,
所述第2描绘图案是对与所述透光部对应的部分实施了尺寸减小而得到的,该尺寸减小使该部分相对于所述透光部的设计尺寸减小规定量的尺寸。
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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