[发明专利]摄像装置及摄像装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及摄像装置及其制造方法，例如，能够良好地用于具有 光电二极管和电极焊盘的摄像装置。

背景技术

对数码相机等应用例如具有CMOS(ComplementaryMetalOxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)图像传感器的摄像装置。在 摄像装置中，为了将入射的光转换成电荷而形成有光电二极管。在光 电二极管中产生的电荷通过传输晶体管被传输到浮动扩散区域。被传 输的电荷通过放大晶体管被转换成电信号并作为图像信号输出。

以往，作为使光向光电二极管入射的方法已知有使光从半导体衬 底的表面入射的方法。这种CMOS图像传感器被称为表面照射型的 CMOS图像传感器。然而，在表面照射型的CMOS图像传感器中， 存在如下问题：伴随摄像装置的小型化，入射的光被在光电二极管上 形成的多层的布线遮挡，向光电二极管入射的光变弱。

因此，为了解决该问题，例如，在专利文献1(日本特开2011-14674 号公报)及专利文献2(日本特开2005-150463号公报)中提出了使 光从形成有布线的一侧表面的相反一侧的、半导体衬底的背面入射的 背面照射型的CMOS图像传感器。即，提出了如下方法，使光从通过 研磨变薄的半导体衬底的背面入射，将光导向形成在半导体衬底的表 面侧的光电二极管。

在这样的具有背面照射型的CMOS传感器的摄像装置中，出于使 光从半导体衬底的背面入射的关系，使得用于与外部进行电连接的电 极焊盘形成在半导体衬底的背面，在该电极焊盘上引线键合有金属 线。形成在半导体衬底的背面上的电极焊盘、和形成在半导体衬底的 表面侧的布线通过贯穿半导体衬底的导体而电连接。以往的背面照射 型的摄像装置以上述方式构成。

在具有背面照射型的CMOS传感器的摄像装置中，进行晶圆测试 等的电气试验时，需要使探针接触电极焊盘。另外，最终，成为在电 极焊盘上引线键合有金属线。因此，在包含位于配置有电极焊盘的区 域的、贯穿半导体衬底的导体的构造中，谋求机械强度。

但是，在以往的摄像装置中，作为这样的贯穿半导体衬底的导体， 而形成有由在具有规定的开口直径的接触孔内形成的金属材料构成 的贯穿连接柱(via)，因此，谋求进一步的机械强度。

发明内容

其他课题和新的特征从本说明书的记载及附图变得明确。

一个实施方式的摄像装置具有受光传感部、支承衬底、多个布线 层、供光入射的区域、电极焊盘和导电性贯穿部。受光传感部形成在 具有相对的第一主表面及第二主表面的半导体层的第一主表面一侧。 支承衬底隔着层间绝缘层形成在半导体层的第一主表面一侧。多个布 线层形成在层间绝缘层的层之间。供光入射的区域形成在半导体层的 第二主表面一侧。电极焊盘形成在半导体层的第二主表面一侧。导电 性贯穿部包括壁状的壁型导电性贯穿部，该壁型导电性贯穿部以贯穿 半导体层来与电极焊盘接触的方式形成，并将电极焊盘与多个布线层 中的一个布线层电连接。

另一个实施方式的摄像装置的制造方法具有以下工序。在被第一 支承衬底支承的半导体层的第一主表面上形成受光传感部。形成包含 从半导体层的第一主表面侧到与第一主表面相对的第二主表面的、贯 穿半导体层的槽状的槽型贯穿孔在内的贯穿孔。形成包括以与半导体 层电气绝缘的方式将导电膜形成于贯穿孔且形状为与槽型贯穿孔对 应的壁状的壁型导电性贯穿部在内的导电性贯穿部。在半导体层的第 一主表面侧，形成包括与导电性贯穿部电连接的布线层在内的多个布 线层及层间绝缘膜。将第二支承衬底粘贴在层间绝缘膜。去除第一支 承衬底。在半导体层的第二主表面侧，形成以与导电性贯穿部接触的 方式电连接的电极焊盘。

根据一个实施方式的摄像装置，能够提高配置有电极焊盘的区域 的机械强度。

根据另一个实施方式的摄像装置的制造方法，能够制造配置有电 极焊盘的区域的机械强度升高的摄像装置。

本发明的上述及其他目的、特征、方面及优点从与附图相关联地 理解的与本发明相关的以下详细说明变得明确。

附图说明

图1是表示实施方式1的摄像装置的切割前的状态的局部俯视 图。

图2是在该实施方式中，沿图1所示的剖面线II-II的剖视图。

图3是表示在该实施方式中，配置有电极焊盘的区域的局部放大 俯视图。