[发明专利]摄像装置及摄像装置的制造方法在审
| 申请号: | 201510920936.0 | 申请日: | 2015-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN105702693A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
| 发明(设计)人: | 堀真也 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 装置 制造 方法 | ||
1.一种摄像装置,其特征在于,
具有:
受光传感部,其形成在具有相对的第一主表面及第二主表面的半 导体层的所述第一主表面一侧;
支承衬底,其隔着层间绝缘层形成在所述半导体层的所述第一主 表面一侧;
多个布线层,其形成在所述层间绝缘层的层之间;
光入射区域,其为形成在所述半导体层的所述第二主表面一侧的 供光入射的区域;
电极焊盘,其形成在所述半导体层的所述第二主表面一侧;和
导电性贯穿部,其包括壁状的壁型导电性贯穿部,该壁型导电性 贯穿部以贯穿所述半导体层来与所述电极焊盘接触的方式形成,并将 所述电极焊盘与多个所述布线层中的一个布线层电连接。
2.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
所述导电性贯穿部形成为从所述半导体层的所述第二主表面突 出。
3.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
所述导电性贯穿部的所述壁型导电性贯穿部以分别沿一个方向 延伸、且彼此在与所述一个方向交叉的第二方向上隔开间隔的方式配 置有多个。
4.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
所述导电性贯穿部包括将所述壁型导电性贯穿部配置成框状的 框型导电性贯穿部。
5.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
具有密封环,该密封环形成为包围配置有所述受光传感部及所述 电极焊盘的区域,
所述密封环由与形成所述导电性贯穿部的层相同的层形成。
6.如权利要求5所述的摄像装置,其特征在于,
所述导电性贯穿部包括在俯视时所述壁型导电性贯穿部沿着所 述密封环延伸的方向延伸的部分。
7.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
在所述光入射区域中,形成有遮光膜、彩色滤光片及微透镜。
8.一种摄像装置的制造方法,其特征在于,
具有:
在被第一支承衬底支承的半导体层的第一主表面上形成受光传 感部的工序;
形成贯穿孔的工序,所述贯穿孔包括从所述半导体层的所述第一 主表面侧到与所述第一主表面相对的第二主表面的、贯穿所述半导体 层的槽状的槽型贯穿孔;
形成导电性贯穿部的工序,所述导电性贯穿部包括以与所述半导 体层电气绝缘的方式将导电膜形成于所述贯穿孔且与所述槽型贯穿 孔对应的壁状的壁型导电性贯穿部;
在所述半导体层的所述第一主表面侧,形成包括与所述导电性贯 穿部电连接的布线层在内的多个布线层及层间绝缘膜的工序;
将第二支承衬底粘贴于所述层间绝缘膜的工序;
去除所述第一支承衬底的工序;和
在所述半导体层的所述第二主表面侧,形成以与所述导电性贯穿 部接触的方式电连接的电极焊盘的工序。
9.如权利要求8所述的摄像装置的制造方法,其特征在于,
形成所述导电性贯穿部的工序包括以从所述半导体层的所述第 二主表面突出的方式形成所述导电性贯穿部的工序,
所述制造方法包括在所述半导体层的所述第二主表面侧,将所述 导电性贯穿部作为对准标记,至少分别形成遮光膜、彩色滤光片及微 透镜的工序。
10.如权利要求9所述的摄像装置的制造方法,其特征在于,
形成所述遮光膜的工序和形成所述电极焊盘的工序同时进行。
11.如权利要求8所述的摄像装置的制造方法,其特征在于,
包括在所述半导体层的所述第一主表面侧,形成将所述受光传感 部与多个所述布线层中的其他布线层电连接的导电性插塞的工序,
形成所述导电性插塞的工序和形成所述导电性贯穿部的工序同 时进行。
12.如权利要求8所述的摄像装置的制造方法,其特征在于,
具有以包围配置有所述受光传感部及所述电极焊盘的区域的方 式形成密封环的工序,
形成所述密封环的工序和形成所述导电性贯穿部的工序并行进 行。
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